201512172087李建强半导体物理.docx

开关模型晶体管延时因子的定量分析摘　要：现在的功率晶体管能控制数百千瓦的功率，使用功率晶体管作为开关已经非常普遍了。根据Ebers-Moll的双极型晶体管模型，深入探究双极型开关晶体管开关时晶体管内部的物理过程，用电荷法来定量计算开关晶体管的各个延时参数，探究延时因子与器件工艺参数的互相影响作用，还提出了在器件设计、生产或集成电路工艺设计中怎样来使得器件有较短的延时，从而来提高器件的频率特性。关键词：E-M模型；双极型晶体管；过剩少子(电子)；频率特性0 引言随着电子技术的发展,晶体管开关电路已广泛应用于计算机、自动控制、通讯及高性能的电源电路中,对其开关速度也提出了愈来愈高的要求。一般而言，根据晶体管在电子电路中的应用，我们将双极晶体管总体上分为两大部分：开关器件和放大器件。开关通常是指把一个晶体管从它的关态或是截至态转变为开态，也就是正向有源或者饱和，然后再回到截至态。双极型(Bipolar)开关晶体管是TTL(Transistor-Transistor Logic)电路的基本组成部分(常用作输出级)，用作开关的晶体管要求能尽可能缩短开关时间（包括开启时间和关断时间）。双极性晶体管是一种时间渡越器件，当B-E结的电压增加时，增加的载流子会从发射区注入到基区，并被收集。但是随着频率的增加，渡越时间变得可以和输入信号周期差不多。此时信号不在和输入信号同相，电流增益的幅度将会降低。双极型晶体管是少子器件（少子器件的特点是工作时电子和空穴都参与导电），与单极型器件（多子器件，如MOS器件，多子器件的特点是工作时只有电子或空穴中的一种电荷参与导电）相比，开关时间要长一些（就单个器件而言）。如何改善器件开关特性是集成电路和晶体管设计的重要内容。双极晶体管是一种时间渡越器件，当B-E结上的电压增加时，增加的载流子会从发射区注入到基区，并被集电极收集。随着频率的增加，渡越时间变得可以和输入信号周期差不多时，输出信号不再和输入信号同相，电流增益的幅度将会下降。研究半导体晶体管器件参数都要从如下所示连续性方程出发（以p型半导体为例，少子为电子）：（0.1）其中，n为电子浓度，Dn为电子扩散系数,μn为迁移率，τ为非平衡少子电子的寿命，Δn为非平衡少子电子的浓度[n型半导体中电子为少子，p型半导体中空穴为少子；非平衡的少子一般由光（如光电器件）或电（如p-n结）注入形成]。等式右边第一项为扩散项，第二、三项为与电场有关的项,第四项为电子复合率，最后一项为电子产生率。方程（0-1）是一个与时间、空间有关的偏微分方程，直接求解非常困难，即使对之作很多简化假设求解仍很复杂。BEAUFOY等采用电荷控制法，先对连续性方程在整个基区上积分，再作一些简化假设后得到如下少子总电荷微分方程:（0.2）该方程易于求解（假定基区中不存在电场，即基区中少子电子是纯扩散运动），能很好地解释晶体管大信号开关过程，电荷控制法的本质就是假设少子电流只决定于基区中少子电荷的总数，而和具体分布无关。本文利用该模型来求得开启时间和关断时间，进一步阐明器件工艺参数及外电路参数与延时时间因子的关系。晶体管工作模型、工作状态及开关时的物理过程描述考虑如图1所示电路中的npn型晶体管，它由截止态转换为饱和态，然后在转换为截止态。我们将描述转换过程中的晶体管内发生的物理过程。工作时的电荷输运情况，其I-V特性方程可由E-M模型(Ebers-Moll model)来描述，如公式(1.1)、(1.2)所示：图1 npn型晶体管工作时的电荷输运过程(电子电流的方向与电子的流向相反)（1.1）（1.2）公式(1.1)、(1.2)中，a11、a12、a21、a22是与晶体管器件固有工艺参数有关的量。此模型着重描述了从发射区发射注入过来的少子电子在基区中的扩散分布（浓度分布的梯度即为扩散电流密度）和反偏的集电极对该部分少子电子的收集作用。部分少子电子在基区中与从基极注入的空穴复合则形成了基极电流的一部分Ir。基极电流IB= Ir+ IpE- ICB0= Ir+ IpE- IpC0- InC0（IpE为空穴扩散流，ICB0为集基结反向漏电流）。图2为工作在放大和饱和模式下的晶体管内各区少子浓度分布，W为基区宽度。图2　放大模式下的npn型晶体管内各区少子浓度分布图3为共射组态的晶体管开关电路（a）及其输出特性曲线（b），负载线也一并画出并标出了各工作区。用作开关时，晶体管工作状态在截止（关断）和饱和（开启）之间切换。晶体管电路在开关状态间切换时，由于少子分布（包括超量少子）的建立或撤消需要时间，从而引起开关状态的延迟（如图2中所示，建立的过程为①→②→③→④，撤消的过程为④→③→②→①）。输入电压Vi下降沿到来时，考虑到VBB的作用以及发射极仍处于正偏状态（因为少子分布不会立刻消散，消散的作用包括复合和