201512172087李建强半导体物理.docxVIP

开关模型晶体管延时因子的定量分析摘　要：现在的功率晶体管能控制数百千瓦的功率，使用功率晶体管作为开关已经非常普遍了。根据Ebers-Moll的双极型晶体管模型，深入探究双极型开关晶体管开关时晶体管内部的物理过程，用电荷法来定量计算开关晶体管的各个延时参数，探究延时因子与器件工艺参数的互相影响作用，还提出了在器件设计、生产或集成电路工艺设计中怎样来使得器件有较短的延时，从而来提高器件的频率特性。关键词：E-M模型；双极型晶体管；过剩少子(电子)；频率特性0 引言随着电子技术的发展,晶体管开关电路已广泛应用于计算机、自动控制、通讯及高性能的电源电路中,对其开关速度也提出了愈来愈高的要求。一般而言，根据晶体管在电子电路中的应用，我们将双极晶体管总体上分为两大部分：开关器件和放大器件。开关通常是指把一个晶体管从它的关态或是截至态转变为开态，也就是正向有源或者饱和，然后再回到截至态。双极型(Bipolar)开关晶体管是TTL(Transistor-Transistor Logic)电路的基本组成部分(常用作输出级)，用作开关的晶体管要求能尽可能缩短开关时间（包括开启时间和关断时间）。双极性晶体管是一种时间渡越器件，当B-E结的电压增加时，增加的载流子会从发射区注入到基区，并被收集。但是随着频率的增加，渡越时间变得可以和输入信号周期差不多。此时信号不在和输入信号同相，电流增益的幅度将会降低。双