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第二讲 电力电子器件 电力电子基础Fundamental Power Electronics第二讲 电力电子器件 东南大学电气工程学院 2011 本讲要点 电力电子器件概述 不可控器件——电力二极管 半控型器件——晶闸管 典型全控型器件 其他新型电力电子器件 电力电子器件的驱动 电力电子器件的保护 电力电子器件的串联和并联使用 1.电力电子器件概述 理想的开关 导通时，电流按箭头流动 导通零电阻，因此零损耗 瞬时开通、关断 耐压、耐流能力无限 电力电子器件：由硅为主要材料制作的电子开关，直接用于主电路（Main Power Circuit）中，用于实现电能的变换。因此又可称为电力电子开关器件（Power Electronic Switching Device） 电力电子器件主要特征 和理想开关相比，电力电子器件的主要区别 存在损耗： 导通时存在导通压降von，导致通态损耗Pon 阻断时有微小的漏电流，有断态损耗Poff，通常可忽略 开通需要时间ton，且存在开通损耗 关断需要时间toff，且存在关断损耗 器件在一定温度范围内正常工作 电应力限制： 器件只能承受一定电压和电流 器件只能承受一定的电压上升率du/dt、电流上升率di/dt 驱动的要求：受控器件的开通与关断需要专门的驱动电路才能实现以满足门极驱动对电压、电流、耗能、隔离等要求 具体使用时，必须保证电力电子器件的上述工作参数在合理的范围之内，尽可能接近理想开关 电力电子器件的分类 依控制特性将器件分类： 不控型：不能用控制信号来控制其通断, 不需要驱动电路，如功率二极管(Power Diode) 半控型：通过控制信号可以控制其导通而不能控制其关断，如Thyristor（或称SCR） 全控型：通过控制信号既可控制其导通和关断，又称自关断器件，如GTR, POWER MOSFET, IGBT, GTO, IGCT, MCT 等 依驱动信号的类型将器件分类 电流型控制：GTR、SCR、GTO等 电压型驱动：MOSFET、IGBT、MCT等 光控型驱动 依载流子分类 单极型(Unipolar) 双极型(Bipolar) 复合型(Complex) 电力电子器件的分类 依器件的其他特性标准划分 依据器件等级：如功率大小、开关速度、耐压高低等 依材料种类：如硅、碳化硅等 依封装和集成方式：如分立、模块、高压集成电路HVIC －High Voltage IC、智能功率集成电路SPIC －Smart Power IC、智能功率模块IPM －Intelligent Power Module等 2.不控器件-电力二极管 电力二极管工作原理 基本结构和工作原理与信息电子电路中的二极管一样。 由一个面积较大的PN结和两端引线以及封装组成的。 从外形上看，主要有螺栓型和平板型两种封装。 电力二极管工作原理 PN结单向导电性 PN结的反向击穿 PN结的电容效应 PN结的电荷量随外加电压而变化，呈现电容效应，称为结电容CJ，又称为微分电容。 结电容按其产生机制和作用的差别分为势垒电容CB和扩散电容CD。 电容影响PN结的工作频率，尤其是高速的开关状态。 电力二极管基本特性 静态特性-伏安特性 门槛电压UTO0.5V,正向电流IF开始明显增加所对应的电压。 与IF对应的电力二极管两端的电压即为其正向电压降UF 。 承受反向电压时，只有微小而数值恒定的反向漏电流。 电力二极管基本特性 动态特性: 关断过程：须经过一段短暂的时间才能重新获得反向阻断能力，进入截止状态。关断之前有较大的反向电流出现，并伴随有明显的反向电压过冲。 开通过程：正向压降先出现一个过冲UFP，经过一段时间才趋于接近稳态压降值。电流上升率越大，UFP越高 。 电力二极管的主要技术参数 正向平均电流IF(AV)： 额定电流——在指定的管壳温度和散热条件下，其允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。 IF(AV)是按照电流的发热效应来定义的，使用时应按有效值相等的原则(有效值=1.57 IF(AV))来选取电流定额，并应留有一定的裕量。 正向压降UF：在指定温度下，流过某一指定的稳态正向电流时对应的正向压降。 反向重复峰值电压URRM：对电力二极管所能重复施加的反向最高峰值电压。使用时应当留有两倍的裕量。 电力二极管的主要技术参数 反向恢复时间trr： trr= td+ tf 最高工作结温TJM： 结温是指管芯PN结的平均温度，用TJ表示。 TJM是指在PN结不致损坏的前提下所能承受的最高平均温度。 TJM通常在125~175?C范围之内。 浪涌电流IFSM：指电力二极管所能承受最大的连续一个或几个工频周期的过电流。 电力二极管的主要类型 普通二极管(General Purpose Diode): 又称整流二极管(Rect