高纯锗探测器课件讲解.ppt

电荷灵敏放大器 Cr是放大器的输入电容和分布电容之和。Cf为反馈电容。如将反馈回路的电容等效到输入端，则输入端的总电容为 当半导体探测器输出电荷时，在放大器输入端形成的信号电压为 如果满足条件A01, 则 由此可见，只要满足上述条件，电荷灵敏放大器的输出信号幅度h就仅与探测器输出的电荷Q成正比，而与探测器的结电容Cd和放大器的输入电容Cr无关，保证了输出信号的稳定性 3) 载流子收集时间 脉冲前沿从粒子入射至全部载流子被收集(tc) 由于在边界，电场强度趋于0，定义载流子扫过 x＝0.99W 的距离的时间为载流子收集时间： 4.3.5中子辐照损伤 中子辐照损伤的机理：当一定能量的中子射入HPGe探测器灵敏体积时会引起晶格的缺陷，错位等，从而影响到探测器的能量分辨率。 阈注量：能量分辨率开始出现变化时所对应的中子注量。阈注量与探测器的尺寸有关，尺寸越大，阈注量约低。阈注量还与探测器的类型有关，下表给出了几种探测器的阈注量 第五节：其他探测器 1.锂漂移硅探测器 2.化合物半导体探测器 3.位置灵敏探测器 5.1锂漂移硅探测器 5.1.1 锂的漂移特性及P-I-N结 1) 间隙型杂质——Li Li电离能很小 ～0.033eV，常温下由于热运动即可电离，Li电离成Li＋，为施主杂质，在Li端形成N区，之后Li＋在电场作用下的漂移，其过程如下： Li＋漂移速度 当温度T 增大时，?(T)增大，Li+漂移速度增大。 Li＋在电场作用下的漂移 Li＋的半径比Si和Ge半导体晶格间距小得多 在电场作用下，Li＋可以很容易穿过Si和Ge半导体晶格，漂移深入半导体内部 Li＋会和半导体材料中的B-中和 Li＋ 的补偿作用，提高了电阻率，增大了结区 2) P-I-N结的形成 基体用P型半导体(因为极高纯度的材料多是P型的)，例如掺硼的Si或Ge单晶。 (1) 一端表面蒸Li，Li离子化为Li+,形成PN结。 (2) 另一端表面蒸金属，引出电极。 外加电场，使Li+漂移。Li+与受主杂质(如B-)中和，并可实现自动补偿形成 I 区。 (3) 形成P-I-N结，未漂移补偿区仍为P，引出电极。 P N+ Intrinsic Semi Front metallization Ohmic back contact To positive bias voltage 由硅作为基体的探测器称为Si(Li)探测器，由锗作为基体的探测器称为Ge(Li)探测器。锂离子是用于漂移成探测器的唯一的离子。 5.1.2 锂漂移探测器的工作原理 1) 空间电荷分布、电场分布及电位分布 I区为完全补偿区，呈电 中性为均匀电场； I区为耗尽层，电阻率 可达1010?cm； I区厚度可达10～20mm， 为灵敏体积。 杂质浓度 电荷分布 电位 电场 平面型的灵敏区电场均匀分布 同轴型的电场非均匀分布 灵敏区的电场 d为灵敏区厚度 V0为偏置电压 式中r1和r2分别为未补偿的P芯半径 r为灵敏区半径 平面型： 灵敏区的电容 同轴型： 式中l为灵敏区的长度 输出脉冲 输出脉冲类似于电离室 平面型： 同轴型： 前面讨论的半导体能量分辨率也适用于Si（Li）探测器，这里仅强调两点： 5.1.3能量分辨率 （1）Si（Li）探测器常用于测量低能和x射线能谱。影响Si（Li）探测器的能量分辨率的因素主要有窗厚，死层，因此应尽量减小窗的影响。 （2）Si（Li）探测器的灵敏区相当后（5-10mm），常温下暗电流的涨落将不容忽视，因此必须在液氮温度（77K）下工作。 5.2化合物半导体探测器 why化合物半导体探测器？ 为了解决传统硅探测器对低能?射线和X射线探测效率低，锗探测器需工作在液氮温度下等问题而开发的一些化合物半导体探测器。 目前主要有这三类化合物探测器： 碲化镉 (CdTe) 碲锌镉 (CdZnTe) 碘化汞 (HgI2) 高纯锗探测器与其他探测器 第四节：高纯锗探测器 1.高纯锗探测器的结构 2.同轴型高纯锗探测器的电场和电容 3.高纯锗探测器的主要性能 由于一般半导体材料的杂质浓度和外加高压的限制，耗尽层厚度为1～2mm。 对强穿透能力的辐射而言，探测效率受很大的局限。由此而研发的一种耗尽层厚度较大，杂质浓度低，电阻率极大的半导体探测器。其基底为高纯度的锗，称之为高纯锗半导体探测器。 什么是高纯锗探测器？ 4.1高纯锗探测器的结构 高纯锗探测器的结构主要有两种： 平面型 同轴型 1）平面型高纯锗探测器 其工作原理与结构与PN节半导体探测器区别不大，但体积较小，且厚度为5mm-10mm，常用于低能?或X射线的探测以及高能的带电粒子的测量。 其工作时需要注意两点： 1.要求其工作在全耗尽状态 2.