数字电子基础简明第五章讲述.ppt

二、扭环形计数器 Q0 Q1 Q2 Q3 C1 1D FF0 CP C1 1D FF1 C1 1D FF2 C1 1D FF3 0000?1000?1100?1110 ? ? 0001?0011?0111?1111 0100?1010 ?1101 ?0110 ? ? 1001? 0010?0101?1011 有效循环 无效循环 克服自启动电路： P360 图5.3.16 三、最大长度移位寄存器型计数器 (略) 5.3.5 读/写存储器 — RAM (Random Access Memory) 存储单元 — 存放一位二进制数的基本单元(即位)。 存储容量 — 存储器含存储单元的总个(位)数。 存储容量 = 字数（word） ? 位数（bit） 地址 — 存储器中每一个字的编号 256?1，256?4 一共有 256 个字，需要 256 个地址 1024?4，1024?8 一共有 1024 个字，需要 1024 个地址 地址译码 — 用译码器赋予每一个字一个地址 N 个地址输入，能产生 2N 个地址 一元地址译码(单向译码、基本译码、字译码) 二元地址译码(双向译码、位译码) — 行译码、列译码 一、RAM 的结构 存储矩阵 … 读/写 控制器 地 址 译 码 器 … 地 址 码 输入 片选 读/写控制 输入/输出 CS R / W I / O [例] 对 256 ? 4 存储矩阵进行地址译码 一元地址译码 … … … D3D2D1D0 W0 W1 W256 译 码 器 0 0 1 1 1 0 1 0 0 1 1 1 A0 A1 A7 1 0 . . . 0 W1 1 0 1 0 8线 — 256线 缺点: n 位地址输入的译码器,需要 2n 条输出线。 1 0 1 0 二元地址译码 Y0Y1 Y15 … A0 A1 A2 A3 X0 X1 X15 行 译 码 器 A4 A5 A6 A7 … 列译码器 Dout 4线 —16线 1 0 . . . 0 1 0 … 0 8 位地址输入的 地址译码器,只有 32 条输出线。 25 (32) 根行选择线 10 根地址线 — 2n (1024)个地址 25 (32)根列选择线 1024 个字排列成 — 32 ? 32 矩阵 当 X0 = 1，Y0 = 1 时， 对 0-0 单元读(写) 当X31 = 1，Y31 = 1时， 对 31-31 单元读(写) [例] 1024 ? 1 存储器矩阵 二、RAM的存储单元 1. 静态存储单元 基本工作原理： T5 T6 T7 T8 D D Xi Yi S R 位 线 B 位 线 B T5、T6 — 门控管 控制触发器与位线的连通 截止 截止 ? ? 导通 导通 0 截止 截止 ? ? 0 1 导通 导通 读操作时: 写操作时: T7、T8 — 门控管 控制位线与数据线的连通 0 0 1 MOS管为 简化画法 六管 CMOS 存储单元 T1 T3 T2 T4 T5 T6 T7 T8 VDD D D Xi Yi N P 特点： PMOS 作 NMOS负载，功耗极小，可在交流电源断电后,靠电池保持存储数据. 由六只MOS管组成, 其中:T1,T2组成一个反相器; T3,T4组成另一个反相器;两个反相器的输入与输出交叉相连,构成基本触发器,作为存储单元. T1导通, T3 截止,定义为0状态; T1截止, T3导通,定义为1状态. T5,T6叫门控管,其导通与截止受Xi的控制. T7,T8也是门控管,其导通与截止受Yj的控制. Xi叫字线,, Yj叫位线. 六管CMOS存储单元的电路图 T1 T3 T2 T4 T5 T6 T7 T8 VDD D D Xi Yi 2. 动态MOS存储单元 单管MOS存储单元 T1 CB 位 线 字线 C1 X 写操作: 字线为高电平 T1 导通 若位线为高电平( 1 )，则C1充电 若位线为低电平( 0 )，则C1放电 读操作: 字线为高电平 T1 导通 若U1= “1”，则C1向CB放电使UB= “1” 若U1= “0”，则UB= “0” 因CBC1 ，在完成读操作后，UB=U1 C1 / （C1+ CB）很小 需要高灵敏度读出器，每次读出后需进行“刷新”。 门控管 三、RAM 容量的扩展 1. 位扩展 地址线、读/写控制线、片选线并联 输入/ 输出线分开使用 如：用 8 片 102