热激励碳化硅微桥谐振器幅频特性研究.pdf

2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 热激励碳化硅微桥谐振器幅频特性研究 于建旺，李跃进，李俊杰 (西安电子科技大学微电子所，西安710071) 摘要： 建立了真空中热激励碳化硅谐振器谐振器简化模型，并用解析的方法，考 虑内应力的影响，推导了出了器件的幅频公式，得出了利用有限元软件ANSYS9．0对 碳化硅微桥谐振器进行了仿真，振幅仿真结果与理论计算结果符合较好，且真空中品 质因数Q大于25000。 关键词： 热激励微桥幅频特性有限元分析碳化硅 characterof Amplitude．frequencyThermally ExcitedMicromechanicalResonator Bridge Abstract：Arational structureofthe excitedmicromechanicalin sample thermally bridge vacuumwasbuilt．The character of excited Amplitude—frequencyamplitudethermally micromechanicalresonatorswas onthermal andthe calculated，based theory bridge expansion influenceofintemalstress．ANSYSwas tosimulatetheSiCmicromechanical applied bridge． Theresultisconsistentwiththe andtheis23000invacuum． theory Q words：thermal key excitation；micromechanical character； bridge；Amplitude—frequency finiteelement analysis；SiC； l 引言 微谐振器件广泛应用于力学量微型传感器中，它是通过检测振动元件的谐振频率或振 幅的变化来测量应变、应力、加速度、压力、质量变化以及流量等，具有体积小、质量轻、 功耗低、精度高、响应快、长期稳定性好u1以及与大规模集成电路工艺兼容，易批量生产等 优点，性能远优于压阻、电容和静电等结构的传感器。微谐振式硅桥压力传感1器的漂移已 低于0．01％F．S．，年稳定性为0．01％温度系数小于5×10一／K。具有优异热、机械性能 的碳化硅，可以制作工作温度更高，性能更好的热激励谐振器件。目前国外研究较多的是 碳化硅梳型RF谐振器件， 本文用解析方法求解了交变热源激励的微桥谐振器的温度分布。基于该温度分布，考 虑内应力对振幅的影响，导出了“热膨胀效应”作用下微桥谐振器幅频关系和谐振振幅．， 最后用有限元分析软件进行了谐响应分析，分析数据与计算数据符合性较好。 2 热激励SiC微桥谐振器的温度分布和振幅分析 2．1 热激励微桥的结构 热激励碳化硅微悬臂桥谐振器由二氧化硅薄膜或金属镀膜(厚度h。)与碳化硅层(厚 度h2)构成，电热激励微桥谐振器结构剖面图如图1(a)所示，光热激励微桥谐振器没有 激励电阻和压敏电桥。设桥长为L，宽为b，hxh。，以桥的中心为坐标原点，建立如图2(b) 所示的坐标系。 国家科技预研项目资助(41308060105) 教育部重点宽禁带半导体实验室资助项目