片式半导体材料热处理炉控制系统.pdf

《冶金自动49}2006年增刊(s2) 片式半导体材料热处理炉控制系统 何舒新1，郑京香2 (1．北京信息职业技术学院应用电子系，北京100070；2．冶金自动化研究设计院) [摘要]介绍片式半导体材料热处理炉的控制系统，描述根据片式半导体材料热处理炉的具体情况所采用的 控制程序，讨论PID控制、智能控制等控制方法。实际应用证明，该系统可以准确地控制温度，性能稳定，提高了 产品合格率，降低了生产成本。 [关键词】单片机；控制器；PID控制；智能控制 O引言 加l℃，斜线上升、下降的时间变化范围是0— ‘ 片式半导体材料热处理炉，广泛用于半导体 999．9s。 生产厂家和研究机构。其炉体并不大，热容量小， 平台保温时间0—999．9s，时间从P，实测温 但要求在数秒内升至上千度的高温，并且温度和 度值等于S。设定温度值时开始计时。热电偶测 加热时间要按照图l所示的规律变化，图中平台 到的温度信号经过线性化处理为0—5V电压(对 应0～1300 保持温度的时间需要有一定的精度。 oC)，经过电压的转换接到A／D转换 1 000 0()o MC4511和MCl413及4个数码管组成单独电路系 p ￡1 憾 {毯 统显示实测温度。 赠 赠 输人用户程序用4x4键盘，配合数码管可输 O O 时间f，s 时间如 入3个程序，每个程序有10段，每段程序由上升／ 下降时间，平台保持的温度和时间组成，关机后程 图1加热工艺示意图 序不丢失。 从图1中可以看出，每个平台持续的时间长 2硬件设计 短不一，温度也不一样，整个工作过程时间很短， 加热工艺曲线随材料和用途的变化，要求各异。 PROM2732组成的最小系统为核心，构建了整个系 若采用手动控制，操作人员要在短时间内调控温 统。 度，难以保证温度和时间的精准，影响产品的质 量。尤其当批量加工某种半导体材料时，不能保 096 考电压为4 mV，对应单片机输出数据000H- 证产品的一致性。因此，要求对热处理炉的温度 FFFI-I，D／A转换器的输出电压为0—4096mV。在 按时间顺序进行自动控制。 加热电路中每2mV对应1℃的炉温变化，单片机 1可编程温度控制系统基本情况 输出的数字量每变化1则对应炉温0．5℃的变化。 系统中的主控制器采用的是MCS一51系列单 由于8032单片机是8位数据输出，为了使12 片机，设计了3种运行模式：输入用户程序模式； 位D／A转换器同时收到12位输入数据，用1个8 模拟／开环执行用户程序模式；执行用户程序模 式。 74LSl75)。输出12位数据时分2步进行，先通过 输出用12位D／A转换器，输出的电压变化 096 范围0～4 mV，输出每增加2mV，温度大约增 [收稿日期39．006．05—15 [作者简介]何舒新(1957．)，男，北京人，高级讲师，主要从事自动控制的科研与教学工作。 ·1016·