单粒子效应材料.pptx

单粒子效应和CMOS器件的加固 姓名：张鑫 学号2016-06-08 半导体器件建模分析 2 空间单个的高能重离子或者质子，在器件材料中通过直接的电离作用或者核反应产生的次级粒子的间接电离作用形成的额外电荷，导致的器件逻辑状态、功能、性能等的变化或损伤现象。单粒子效应具体包括单粒子翻转、单粒子瞬态脉冲、单粒子功能中断、单粒子锁定、单粒子烧毁、单粒子栅穿等。 单粒子效应（Single Event Effect） 单粒子效应（SEE, single event effect）产生自单个高能粒子（single, energetic particle）。 单粒子翻转（SEU, single event upset)产生的可能性由Wallmark and Marcus在1962年首次提出。 1975 年美国发现通信卫星的数字电路JK 触发器由于单个重核粒子的作用被触发。 陆续发现陶瓷管壳所含的微量放射性同位素铀和钍放出的α粒子以及宇宙射线中的高能中子、质子、电子等, 都能使集成电路产生单粒子效应。 进一步的模拟试验和在轨卫星的测试证实: 几乎所有的集成电路都能产生这种效应。 半导体器件建模分析 3 单粒子效应的分类 非破坏性的单粒子效应 (Soft Error) -- 单粒子翻转（SEU: Single Event Upsets ） -- 单粒子瞬变效应（SET: Single Event Transient） 灾难性单粒子效应 (Hard Failure) -- 单粒子锁定（SEL: Single Event Latchup） -- 单粒子烧毁（SEB: Single Event Burnout） -- 单粒子门断裂（SEGR: Single Event Gate Rupture） 半导体器件建模分析 4 单粒子翻转（SEU） 单粒子翻转事件是指高能粒子撞击大规模集成电路的灵敏区，发生电离反应或核反应，产生电荷沉积，当沉积的电荷足以改变储存单元的逻辑状态时，就发生了单粒子翻转事件。这种改变一般不损坏器件，只是储存单元的信息改变，仍可完成读写操作，称为软误差。 单粒子翻转主要发生在静、动态存储器(SRAM、DRAM)和CPU芯片内的各类功能寄存器、存储器中。它使储存的信息改变了，这些改变如发生在一些控制过程的中间运算时，可以导致控制失误，有时结果是灾难性的。 半导体器件建模分析 5 单粒子翻转 从1975年提出单粒子翻转事件以来，国外已对此效应研究了20多年，在各类轨道的卫星上和各种加速器上进行了多种芯片实验，研究SEU产生与器件材料、结构、制造工艺的关系，考查了其产生与空间环境、太阳活动和飞行器轨道的相关性。 我国在1994年2月8日发射的“实践4号”卫星上进行了第一次空间单粒子事件研究。星载的“静态单粒子翻转事件探测仪”测得了1 Mbit SRAM在轨道上每天约有3.5个单粒子事件的翻转率（3.5×10-6/bit per day）及其随L坐标的分布。 半导体器件建模分析 6 单粒子瞬变效应（SET） 单粒子瞬变效应主要发生在线性电路（满足齐次性和叠加性）中，如组合逻辑电路、I/O下此类器器件及空间应用的光纤系统等。在高能粒子的作用件会输出足以影响下级电路的瞬时脉冲。 使用加速器进行重离子、质子的照射后，记录到发生单粒子瞬变的器件有比较器及光电耦合器等。这些器件的瞬时变化导致其在不该有输出信号时却有了输出。 对比较器的实验是在BNL和TAM的回旋加速器（重离子）和ICUF（质子）加速器上进行的。实验显示在高能重离子、质子作用下，比较器的输出会产生栅栏效应，脉冲幅度高达26 V，持续时间1~4 us。 光耦合器由发光二极、光电二极管及跟随电路组成。光耦合器的SET效应在1997年2月14日SM-2对Hubble空间望远镜上安装的新仪器作调试服务时发现的。 半导体器件建模分析 7 单粒子瞬变效应（SET） 半导体器件建模分析 8 单粒子烧毁(SEB)与单粒子门断裂( SEGR) 在空间和地面加速器实验上都观察到了功率场效应管受重离子、高能质子、中子照射后，会发生单粒子烧毁事件;在特殊偏压下，重离子撞击器件灵敏区的某些特殊位置时，会发生单粒子门断裂事件。1994年8月3日发射的APEX卫星上(椭圆轨道，2544km、362km，70°倾角)，研制了专门的装置，对两种不同额定电压的功率场效应管(2N6796、2N6798各12片)进行了单粒子烧毁事件实验。由监测和记录烧毁前产生的尖脉冲，记录了由重离子和质子引起的烧毁事件。 功率场效应管发生SEB或SEGR是与它的工作模式(偏压选择)、人射粒子的角度和能量、选用的漏一源电压及温度有关。对SEB，它是由离子撞击一个n-道功率场效应管产生能