玻璃基质微流控芯片低温键合方法的研究.pdfVIP

玻璃基质微流控芯片低温键合方法的研究 贾志舰方群方肇伦 浙江大学化学系微分析系统研究所，杭州310028 微流控玻璃芯片加工过程包括光刻、通道刻蚀、键合(包括清洗)等一系列的环节。其 中，玻璃基片与盖片的键合是一个比较关键的环节。目前，有关文献报道的玻璃芯片键合方 法多要求在超净环境下进行。采用程序升温进行高温键合的键合温度通常高达500—650Cn1。 该方法操作不易掌握，成品率低。为了提高键合的产率和质量，通常在芯片上放置重物，以 增强键合压力，但由此芯片表面的光洁度将遭到破坏。最近，殷学锋等也1报道了一种在普通实 验室内通过保持局部超净环境进行的芯片高温键合方法：Wang等∞1报道了采用硅酸盐粘合剂 的玻璃芯片低温(90C)键合方法；Chiem等H1报道了在严格超净环境下室温玻璃芯片键合方 法。 本文报道的是一种简单的玻璃芯片低温键合新方法。该法的特点是操作简单，方便易学， 成品率高，在普通实验室即可进行，无需使用粘合剂或特殊设备，如超净工作室、程控高温 炉以及施加重物等，而且适合批量加工。所需键合的芯片微通道的刻蚀采用常规的光刻技术 和湿法刻蚀技术。芯片键合方法：将带微通道的基片(打好孔)与盖片，依次用自来水 (10—20m／s)和乙醇冲洗、浓硫酸浸泡的方法进行预洗。再用自来水和去离子水依次快速冲 洗，在局部超净环境中，将芯片紧密贴合，用吹风机加热(80一100℃)吹干，时间约20min。 放置通风处过夜即可使用。 对低温键合好的芯片，实验中以剪切力测试方法检验其键合强度，其中2×6cm玻璃芯片 的键合强度可以达到65 用4cm长微通道上施加IKV电压，以测定其电流变化的方法。在60天内，经多次测定，显示 结果发现电流值较为稳定，且未观察到芯片有开裂和渗漏现象。在本实验室，曾采用该法进 行键合不同尺寸的数十块玻璃芯片，成功率达95％以上。其键合后的高强度可能与在芯片表面 形成的水化层有关。另外，将此法用于玻璃芯片的高温永久键合，可不必再使用重物，比以 往方法有更高的键合成功率(可达98％以上)且芯片有良好的表面光洁度。 为考察采用该法键合的玻璃芯片的电泳性能，以异硫氰酸荧光素(FTIC)标记的混合氨 基酸试样进行实际的芯片毛细管电泳分离，以自制的激光诱导荧光检测系统检测，典型分离 结果与高温键合芯片同试样电泳分离结果对比见图I。图2．所示为该法低温键合芯片与高温 键合芯片微通道横断面的扫描电镜(SEM)照片，由图可见，二者无明显区别， 18 (a) 2差餮k11 I i 2min (b) 盘芒R—霉I生．I I I 2min 图1．芯片毛细管电泳分离记录图 试样：20州FII、C标记犄氨酸，苯丙氮酸，甘氨酸混合溶液；(a)，(b)分别为采用高温键合和本文报道的低温键合方法加工的芯 片的分离结果。工作条件：缓冲液5棚硼砂．进样和分离场强分别为500和200V／cm，有效分离距离18帅． (ft．)