现场测量薄膜残余张应力的T型结构.pdfVIP

第11卷第4期 光学精密工程 Vol-11No．4 2003年8月 and Aug．2003 Precision 0ptics Engineering 文章编号 l004—924X(2003)04一0038-04 现场测量薄膜残余张应力的T一型结构 徐方迁，徐联，何世堂 (中国科学院声学研究所，北京 100080) 摘要：由于T一型结构对残余张应力敏感．所以可用于现场残余张应力的测量。在考虑操中残余张应力情况下，给出了关 于残余张应力和杨氏模量比值的理论计算公式的推导过程，用LPcVD技术制作了几种不同大小的T一型梁结构，并用两 种公式计算了残余张应力与杨氏模量比值，两种公式的计算结果相差9．65％。 关键词：薄膜；残余张应力；张应力测量；T-型结构 中图分类号：0484．5文献标识码：A microstructureforin-situmeasurementof T—shaped residualtensile thin stressin films XU Lian，HE Fang—qian，XU Shi—tang (f住s￡f￡l‘￡e 100080，China) o厂Aco乱s￡fcs，C^fnese AcⅡde，n3fo，Sc{ences，Bei歹ing the structureissensitivetoresidualtensile Abstract：Because structurecanbe T—shaped stress，the usedforin—situmeasurementof tens订e residual stress．Withresidualtensilestressinabeamintocon— oftheoreticalcalculationformula ratioof sideration，derivation relating residualtensilestressto Young ’s moduleis structuresweremade LPCVD formulae given．Di珏erentT—shaped using technique．Two wereusedtocalculatetheratioofresidualtensile stressto module．Thedifferenceofresults Youngs 。 ofthetwoformulaeis9．