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第五章:半导体存储器 5.1 概 述 计算机的基本构成: 存储器是构成计算机的三大硬件之一 5.1.1 存储器的分类 半导体存储器的分类 5.1.2 半导体存储器的主要技术指标 5.1.3 存储器芯片的结构 一、 半导体存储器芯片的基本结构 5. 2. 半导体存储器芯片举例 一、IDT 6116 SRAM芯片 二、Intel 2716 EPROM 芯片(只读存储器 2048×8bit) 常用的EPROM芯片 5.3.1 存储器的扩展方法 由16K ? 8 位芯片组成 64K ? 8 位存储器中各芯片地址空间分配表 由1K ? 4位芯片组成 4K ? 8 位存储器中各芯片地址空间分配表 5.3.2 存储器与微处理器CPU的连接 一、存储器与系统之间通过DB、CB 、AB三大总线进行连接: 8086 CPU 构成的最小模式系统 二、存储器系统设计举例: 本章小 结 作业 8086最大模式系统下32K×16位RAM存储器连接图 ★ 本章主要讲述了存储器的分类、指标、和基本结构。 ★ 重点讲述了存储器的基本结构、读写过程和扩展方法。 ★ 详细讲述了存储器接口基本技术中的数据总线DB、地址 总线AB、控制总线CB的正确连接和译码器设计 。 1、静态存储器和动态存储器的最大区别是什么?它们各有什么优缺点? 2、常用的存储器地址译码方式有哪几种?各自的特点是什么? 3、某SRAM的一单元中存放有一个数据(如3FH),问CPU将其取走后, 该单元的内容是什么? 4、设有一个具有14位地址和8位数据的存储器,问: (1)该存储器能存储多少字节的信息? (2)如果存储器由8K×4位RAM芯片组成,需要多少片? (3)需要地址多少位作芯片选择? 5、用 16K×1位的 DRAM芯片组成 64K×8位的存储器,要求画出该存 储器组成的逻辑框图。 6、教材 * 笃学尚行 止于至善 * 笃学尚行 止于至善 内容提要: 1 存储器的分类、性能指标,存储器系统的多层结构;存储器芯片的结构 2 存储器的扩充方法 3 存储器与微处理器CPU的连接 学习目标: 1.了解存储器的分类、性能指标,存储器系统的多层结构; 2.了解存储器芯片RAM、EPROM的基本结构、地址形成方法; 3.重点掌握8086CPU与存储器的连接技术; 4.了解EPROM编程技术; 重点与难点: 8086CPU与存储器的连接技术 存 储 器 I/O 接 口 输 入 设 备 I/O 接 口 输 出 设 备 控制总线 CB 数据总线 DB CPU 地址总线 AB 1、CPU(包括主板、总线); 2、存储器(内、外存); 3、输入、输出设备。 4、纸带:成本极低。 2、外存储器(辅助存储器): 用来存放一些微处理器暂不处理的程序和数据的存储器。 不可以被CPU或外设直接访问,由磁芯及光电存储器等构成。 一、按存储介质材料分类: 1、磁芯存储器(磁膜、磁泡和其它磁表面存储器); 2、半导体存储器; 3、光电存储器(光盘存储器等); 二、按用途分类: 1、内存储器(主存):用来存放正在运行的程序和数据的存储器; 可以被CPU或外设直接访问,由半导体存储器构成。 静态RAM 动态RAM MOS型 双极型 不可编程 掩膜ROM 可编程 ROM 可擦除、可再 编程ROM 紫外线擦除的 EPROM 电擦除的 E 2 PROM 随机读写 存储器RAM 只读存储器 ROM 半导体 存储器 其中: 1KB = 210B = 1024B; 1MB = 220B = 1024KB; 1GB = 230B =1024MB; 1 TB = 240B = 1024 GB。 二、存取时间: 1、维持功耗 2、操作功耗 一、存储容量 :存储容量是指系统所能存储的二进制位数。 1、用字数×位数表示,以位为单位。如:1024×4bit 2、常用KB、MB、GB和TB为单位表示存储容量的大小。 存取时间是指从启动一次存储器操作到完成该操作所经历的时间。 单位: n S ~μS 三、功耗: 存储器被加上的电压与流入的电流之积是存储器的功耗 地 址 译 码 器 存储矩阵 控制逻辑 三态 数据 缓冲 器 W / R CS 半导体存储器组成框图 4、输入、输出缓冲电路 存储芯片的基本组成(由四部分组成) 1、存储矩阵:由存储元构成 2、行、列地址译码器:对外部地址线上的地址进行译码 3、片选及读写控制逻辑电路 A 0 A 1 A n … … … … D0 D1 DN 1、内部结构及引脚图 (3)存储时间
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