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2017-03-25 发布于四川
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t2月DONGFANG一=一—一==========——=一DIANQIPINGLUN第4卷

tq∥j‘，东二芎电气评论 2月DONGFANGPINGLUN 1990年i DIANQI 第4卷第4期一=一—一：：==========—：—=一 TDG一28型大直径区熔单晶炉东风电机厂盛耀昌摘要本文介绍TTDGl28型大直径医溶单晶炉的主要技术指标和性能特点。该炉在一定的工艺条件下可以稳定生产直径为75mm～loomm的高阻率无位错单晶硅。由于采用铸铁件结构使该设备具有一定的防震吸震能力，故无需安装庞大的减震器防震基座。在国内首扶使用晶体夹持机构和伸缩炉体是该炉的两个重要特点。采用可控硅链式触发器进行可控硅调压，使高频振荡器输出功率稳定性好，效率高，且有较好的节能效果。关键词t 单晶硅区熔炉麦托普索公司l980年设计的FZ-14型区熔炉r1J及美国西方技术公司七十年代末研制的145型区熔炉f2’的有关技术指标同列于概述表1。从表中所列主要技术指标比较来看，随着高技术的日益发展，对单晶硅的需 TDG-28型大直径医熔单晶炉已经与八十年求量越来越大，规格品种愈来愈多。当前全代初工业发达国家的先进水平相当，某些指 5型区世界单晶硅的年产量为3100t，美国年产单晶标已超过了美国七十年代末生产的14 熔炉。硅在1000t以上，而我国年产量在70t左右，差距甚大。区熔单晶炉是生产高阻率无位错单晶硅的主要设备。高阻率单晶硅广泛地应用于大三、工作原理功率高压整流器件，高压直流输电设备、海上石油钻井平台、直流电气牵引机车等大型 TDG一28生产单晶硅的过程是；将一根设备。特别是近年来彩色电视事业的发展，表面经过加工，头部打磨成锥形，另一头开急需直径80衄以上的大直径高阻率无位有夹持槽的多晶硅棒，清洁处理后装在上夹错单晶硅，迫切要求研制生产这种大直径高持器上。微调上夹持器各螺栓，使多晶硅棒阻率无位错单晶硅设备。与高频加热线圈中心的同轴度调节到不太子巾2mm范围内，然后用预热叉(或预热块) 预热，使硅棒自上至下移动，熔接籽晶、缩．二、主要技术指标颈、放肩。同时，上、下轴一边旋转一边下移。经高频感应加热后熔区部分(熔点达 1420℃)按籽晶晶格重新排列结晶，再基本为了比较，我们将TDG--28区熔炉与丹 1990年4月1日收稿 2／0 —＼表l 大直径区熔单晶炉技术指标型号 TDG-28 FZ—14 145 指标—、＼ jj2fSJ单晶直径(mm) 噜7