三门电路.ppt

二、三极管的输入特性和输出特性 2、输出特性曲线 2、输出特性曲线 分析：输入电压从0增大至vcc的过程中，工作状态的变化 三、三极管的开关等效电路 四 、三极管反相器 例：计算反相器电路参数设计是否合理 利用戴维南定理化简 五、三极管的动态开关特性 * * * 3.5 TTL门电路 3.5.1 半导体三极管的开关特性 常见类型： 在同一硅片上制造出三个掺杂区域，并形成两个PN结，就构成晶体三级管。 一、三极管的结构 以双极型三极管作为开关器件的门电路。 PNP型 NPN型 1、输入特性曲线（NPN） vCE一定时，iB与vBE成指数关系，近似为折线 输入回路 输出回路 共射接法 vBE与iB的关系--输入特性 iC既与vCE有关，又受iB的控制。 ①vCE从零逐渐增大 集电结电场增强，收集电子的能力增强，发射区扩散到基区的电子进入集电区的数量更多，电流iC随vCE增大而增大。 ②vCE增大至某值后 此时集电结电场足够强，可以将发射区注入基区的绝大部分电子收集到集电区。若继续增大vCE ，ic也不可能明显增大，表现为ic 几乎仅仅决定于IB。 输入回路 输出回路 vCE与iC的关系--输出特性 截止区： 特性： ib=iC = 0 放大区： 特性： iC=βiB,与VCE无关 , ie=（1+β）iB 饱和区： 特性： iC随vCE增大而增大，iCβiB ， VBE VON, VBE VON , VCE=VBE VBE VON, VCEVBE VBE VON , VCEVBE 饱和状态下的β小于放大系数β 饱和区电流比该值大 若将三极管工作时的参数调整为： 则c-e间可看做受vI控制的开关。 共射接法在一定条件下可构成反相器 截止状态 深度饱和状态 当外接负载电阻远大于RCE(SAT)时，可忽略之 通常为保证vI=VIL时三极管可靠截止，在输入端接入负电源。 参数设计合理 共射接法 三极管反相器 - - 5V -8V 3.3KΩ 10KΩ 1KΩ VIH=5V VIL=0V 输入回路的等效电路 外接在三极管b-e上的总电压 β=20 VCE(sat) = 0.1V RCE(sat) = 20? 所以，电路参数设计合理 由于三极管内电荷的建立与消散需要一定的时间。 所以iC和vO的变化均滞后于vI。