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十七、硅碳棒与电气炉窑 张增安 (西安金戈磨料磨具有限责任公司710600) 一、硅碳棒的主要性能 硅碳棒是碳化硅的再结晶制品，它具有SiC再结晶制品一系列物理化学性质。硅碳棒的 主要成份是SiC，尤其是发热体。通常含有98％以上SiC，其余为各种杂质，主要是：硅(si)、 二氧化硅(si∞、碳(C) 以及铁、铅、镁等。 (1)硅破棒的主要几项物理性能(发热体部分) ①密度与透气性，硅碳棒在某种程度上说是多孔的，这是由于制造工艺所决定的，它的 大部分气孔是彼此连通的，这就构成了贯穿棒体所有方向的开口气孔率。还有封闭的气孔， 并形成了封闭气孔率。 气孔率的实际意义是很大的。它的机械强度、抗氧化能力、导热都与气孔率大小直接相 关。气孔率越大，氧化越快，使用寿命越短。 一般来讲，国内硅碳棒发热体的体积密度和气孔率是2．32克／立方厘米和30％：国外大 约是两种日本、美国、德国)a．2．5和6％：b．2．8和5％。 ②抗弯强度：硅碳棒的强度取决于一系列的工艺因素：坯料的颗粒组成、结合剂、成型方 法、成型压力以及烧成温度与烧成条件。 国内硅碳棒发热体的常温抗折强度一般是40lfIPa，国外分两种，一种约80MPa，另一种 约120MPa。在高温情况下，抗折强度更高，特别是1200C以上时，比常温大约提高一倍。 在高温恒温下，或在高温恒温施加一定的荷重时，硅碳棒随时间的发展而发生变形，这种现 象称为蠕变。在正常使用温度下．硅碳棒的蠕变现象很少，如果超过硅碳棒正常使用温度， 蠕变现象增加。 ③热膨胀：硅碳棒的热膨胀在很广的温度范围内均匀地进行。它比碳化硅的热膨胀系数 ℃。 硅碳棒在使用过程中的氧化对膨胀有显著的影响，氧化时使体积发生显著的非可逆增 大，其反应如下： SiC+202=Si02+C02 SiC变成SiO。导致体积非可逆增大约1．1倍。氧化程度愈大，则膨胀时突变也愈大。 硅碳棒应用实践证明，由于氧化，特别在超负荷情况下，硅碳棒在使用中膨胀并损坏， 这种现象特别在硅碳棒间断的应用中尤为显著。 ④导热性：硅碳棒的导热性高，气孔率对导热系数影响很大，气孔率越大导热系数越低。 在1200-1400C的使用温度下，其导热系数为lO一14千卡／米·小时·度。 (2)化学性能：从化学性质讲，硅碳棒与其它电热元件比较，其优点主要是具有良好的 化学稳定性，耐腐蚀性，它之所以具备这个独特的优点，这是因为硅碳棒在富氧的气氛中使 用，从800(2开始生成Si02玻璃层，1300C时保护层开始结晶出石英。相交引起了开裂，从 破坏．因而碳化硅的氧化作用迅速进行，硅碳棒迅速损坏。因此，在1600C以下，对硅碳 棒来讲，SiO：保护层隔绝了SiC与富氧气体接触，从而大大减慢了氧化反应的进行。大家知 道SiOi对相当多的介质都是一种化学稳定性很好的物质，这样Si如层对硅碳棒就起到了保 护作用，就使硅碳棒能在150012下长期使用(目前国内受窑炉技术、硅碳捧冷端技术等相关 因素影响，一般限制的上限温度)，这种现象多少有些类似于室温下的金属铝。这两种材料 有价值的工程性都在于氧化物保护膜的很高的化学稳定性。另外需要说明的一点是在硅碳棒 表面生成Sioz层过程中，棒体电阻也逐渐增加，这种现象称为硅碳棒的“老化”。 硅碳棒的老化快慢是其寿命的体现，一般来讲，硅碳棒寿命终止是指在使用过程中其 电阻值增长到初始值的四倍．通常说的硅碳棒能用多长时间就是指的这个概念，目前，我公 司硅碳棒产品在富氧气中连续使用寿命约为4000小时。当然影响硅碳棒寿命的因素很多， 其主要因素是使用温度的高低，连续和间隔使用，负荷密度的大小及负荷分配的均衡性，炉 内气氛等。 由于SiR保护层的作用，硅碳棒的抗酸能力很强，抗碱性较差，在高温下，易被熔融 碱和碱金属硫酸盐侵蚀。因此，根据试验和实际经验总结，除硅碳棒在干燥空气中可使用 1500℃外，在下列气氛中应降低使用温度，水蒸汽、氮气、氨气、硫磺气氛中应控制在1300 ℃以下，在氢气、氯气气氛中，应控制在1200C以下。真空中1100(2以下。 (3)硅碳捧的电气性能 ①硅碳棒电阻温度系数。硅碳棒的结构属于碳化硅高温半导体材料结构，它的电阻温度 系数不同于金属导体，微量的杂质影响硅碳棒冷态电阻，使硅碳棒的电阻温度系数在0-800 ℃时呈负值(电