硅衬底上氮掺杂ZnO薄膜的光致发光.pdfVIP

2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 硅衬底上氮掺杂ZnO薄膜的光致发光 何海平，叶志镇，诸葛飞，朱丽萍，王发展，赵炳辉，黄靖云 浙江大学硅材料国家重点实验室，杭州，310027 摘要；用A1-N共掺方法在Si衬底上制备出了P型ZnO薄膜。光致发光谱表明其发光峰 位于3．1eV附近，且随着生长温度升高发生红移。结合吸收谱分析表明，该发光峰起源于 局域化的载流子。讨论了局域化载流子的形成原因。 引言 ZnO在室温下的带隙为3．37eV，其激子结合能高达60meV，是制作短波光电器件的重 要材料之一[1]。但ZnO在走向应用过程中遇到的一个主要困难是难以获得良好的p型掺 杂。这主要有两方面原因：一是缺乏固溶度高且受主能级较浅的掺杂剂，二是本征施主缺 陷的强烈补偿作用[2]。因此，为了获得良好的p型掺杂，深入研究掺杂剂和缺陷在ZnO 晶格中的行为是很重要的。 光致发光(PL)谱是表征缺陷的一种有效手段。迄今对掺V族元素的P型ZnO中的 PL已经有一些报道。特别地，对于N掺杂ZnO，人们利用低温PL方法，通过研究束缚激 子和施主一受主对的辐射复合来确定N受主的能级[3-5]。 但在P型ZnO的载流子局域化 研究方面，几乎没有任何报道。载流子局域化会影响发光效率并通常伴随发光峰的Stokes 位移[6]，这对于ZnO基短波发光器件的研制无疑是十分重要的。 此前我们已经报道利用AI-N共掺方法可以实现ZnO薄膜良好的P型导电特性[7]。在 本文中，我们研究了A卜N共掺Zn0薄膜的室温光致发光特性。我们发现，在室温下薄膜 的PL峰主要源于局域化载流子的跃迁。 实验 ZnO薄膜用直流磁控溅射法制备，衬底是si(1lI)晶片。使用Alo．004Zn㈣。合金作为溅 Pa，然后通入高纯N。0(99．999％) 射靶材，用N20作为反应气。反应室首先抽真空至10‘3 W， 气体，将生长室内气压维持在3-4Pa．衬底温度是300，400，和5000C。溅射功率54 时间30分钟。 x射线衍射(XRD)、Hall测试和x射线光电子能谱(XPS)分别用来表征薄膜的结构、电 学性质和组分。在进行Hall测试时，为了排除硅衬底的影响，我们使用的是以石英为衬 nm。 底在同样条件下生长的薄膜。室温光致发光谱使用Xe灯作为激发光源，激发波长325 结果与讨论 XRD分析(见图1)表明获得的ZnO薄膜都是沿[0001]方向择优取向生长的，衬底温 C下生 度5000C时衍射强度最大，表明该温度下生长的薄膜晶体质量最好。图2是在5000 长的ZnO薄膜的XPS N!!和…AI一9n，芯能级谱?表明N和A1尸．绎掺入ZnO薄膜中。Nls谱中 “397．1 eV)相吻 eV峰可归结为N—Al键[8]，而A12p谱中74．0eV峰与AIN的值(74．3 合[8]。这些结果与共掺理论的预期相一致，即Al和N以AI-2N复合体的形式进入ZnO晶 -337- 2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 格。N1S谱中400eV附近的峰可归结为N一0键[9]。 Hall分析表明，在300，400和500。C下生长的薄膜都呈现P型导电，其空穴浓度分 l×i018 别为2Xi013，8X1015，and cm一，这表明AI-N共掺方法能获得较好的P型ZnO。 对AI-N共掺ZnO／n-Si异质结构的I-V特性曲线测量也表明所获