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数电研讨报告 学院： 电子信息工程学院 专业： 轨道交通信号与控制 班级： 自动化1302 姓名： 陈斌 刘佳丽 孙宇杰 目录 简述存储器技术发展趋势 2.1 EEPROM芯片的特性、引脚及操作方式 2.2 Flash芯片的特性、引脚及操作方式 3.1 EEPROM芯片的产生与发展 3.2 Flash芯片的产生与发展 4.1 Flash与EEPROM的区别 5.1 参考文献 1.1 存储器技术发展趋势 存储器技术是一种不断进步的技术,随着各种专门应用不断提出新的要求 ,新的存储器技术也层出不穷 ,每一种新技术的出现都会使某种现存的技术走进历史,因为开发新技术的初衷就是为了弥补某种特定存储器产品的不足之处。例如, 闪存技术脱胎于EEPROM,它的一个主要用途就是为了取代用于PC机BIOS的EEPROM芯片 ,以便方便地对这种计算机中最基本的代码进行更新。尽管目前非挥发性存储器中最先进就是闪存 ,但技术并未就此停步。生产商们正在开发多种新技术,以便使闪存也拥有像DRAM和 SDRAM那样的高速、低价、寿命长等特点。总之,存储器技术将会继续发展 ,以满足不同的应用需求。 2.1 EEPROM芯片 常见的EEPROM芯片有Intel公司生产的高雅编程芯片2816、2817与低压编程芯片2816A、2817A、2864A及1Mb的28010和4Mb的28040等。这些芯片的读出时间为120~250ns,字节擦写时间在10ms左右。 下面以2817A为例，介绍EEPROM芯片的特性、引脚及操作方式。 1.特性： Intel2817A的容量为2Kb，单一+5V电源供电，最大工作电流为150mA，维持电流为55mA，最大读出时间为250ns。由于其片内设有编程所需的高压脉冲产生电路，因而不需要外加编程电压和编程脉冲即可工作。 2.引脚：2817A引脚分布如图所示。 2817A具有28个引脚，定义如下。 A0~A10：地址线。 D0~D7：数据线。 OE:读允许信号，低电平有效，输入。 WE：写允许信号，低电平有效，输入。 CE：片选信号，低电平有效，输入。 RDY/BUSY：忙闲状态指示，输出。 3.操作方式：如图所示 引脚 方式 CE OE WE RDY/BUSY D0~D7 读出 0 0 1 高阻 数据输出 保持 1 X X 高阻 高阻 编程 0 1 0 0 数据输入 从2817A的操作方式可以看出，对2817A的读出和编程操作与RAM的读/写操作类似。不同点在于：2817A在每个字节编程写入之前自动擦除该单元的内容，即编程写入和擦除是同时进行的，因此所需时间长一些，读出时间为ns级，而写入时间为ms级。 2.2 Flash芯片 Flash与EEPROM类似，也是一种电擦写型ROM，既可以在不加电的情况下长期保存信息，也可以联机在线快速擦除重写。它与EEPROM的主要不同之处是按“块”擦写，存取速度快，一般在65~170ns之间。 1.Flash的存储结构 Flash有整体擦除，自举块和快擦写文件三种存储结构。 （1）整体擦除结构是将整个存储阵列组成一个单一的块，在进行擦除操作时，将清除所有存储单元的内容。 （2）自举块结构是将整个存储器划分为几个大小不同的块，其中一部分作自举块和参数块，用来存储系统自举代码和参数表；其余部分为主块，用来存储应用程序和数据。在系统内编程时，每个块都可以进行独立的擦写，其特点是存储密度高、速度快，主要应用于嵌入式微处理器中。 （3）快擦写文件结构是将整个存储器划分成大小相等的若干块，也是以块为单位进行擦写，它与自举块结构的闪存相比，存储密度更高，可用于存储大量信息，如闪存盘。 早期的闪存多采用整体擦除结构，而现在的闪存采用自举块或快擦写文件结构，以块为单位进行擦写，增加了读写灵活性，提高了读写速度。 2. Flash芯片 市场上的Flash产品种类很多，如美国公司ATMEL生产的29系列芯片有AT29C256(256KB)、AT29C512(512KB)、AT29C010A(1MB)、AT29C020A(2MB)、AT29C040A(4MB)、AT29C080A(8MB)等。 下面以AT29C010A为例，介绍闪存的特性、结构及工作方式。 1.特性 AT29C010A是一种并行、高性能、+5V的在线擦写、单一+5V电源供电的闪存芯片，片内有1MB的存储空间，