半导体名词解释讲述.docx

1?Active?Area?主动区（工作区）?主动晶体管（ACTIVE?TRANSISTOR）被制造的区域即所谓的主动区（ACTIVE?AREA）。在标准之MOS制造过程中ACTIVE?AREA是由一层氮化硅光罩即等接氮化硅蚀刻之后的局部场区氧化所形成的，而由于利用到局部场氧化之步骤，所以ACTIVE?AREA会受到鸟嘴（BIRD’S?BEAK）之影响而比原先之氮化硅光罩所定义的区域来的小，以长0.6UM之场区氧化而言，大概会有0.5UM之BIRD’S?BEAK存在，也就是说ACTIVE?AREA比原在之氮化硅光罩所定义的区域小0.5UM。?? ??2?ACTONE?丙酮?1.?丙酮是有机溶剂的一种，分子式为CH3COCH3。2.?性质为无色，具刺激性及薄荷臭味之液体。3.?在FAB内之用途，主要在于黄光室内正光阻之清洗、擦拭。4.?对神经中枢具中度麻醉性，对皮肤黏膜具轻微毒性，长期接触会引起皮肤炎，吸入过量之丙酮蒸汽会刺激鼻、眼结膜及咽喉黏膜，甚至引起头痛、恶心、呕吐、目眩、意识不明等。5.?允许浓度1000PPM。?? ??3?ADI?显影后检查?1.定义：After?Developing?Inspection?之缩写2.目的：检查黄光室制程；光阻覆盖→对准→曝光→显影。发现缺点后，如覆盖不良、显影不良…等即予修改，以维护产品良率、品质。3.方法：利用目检、显微镜为之。?? ??4?AEI?蚀刻后检查?1.?定义：AEI即After?Etching?Inspection，在蚀刻制程光阻去除前及光阻去除后，分别对产品实施全检或抽样检查。2.目的：2-1提高产品良率，避免不良品外流。2-2达到品质的一致性和制程之重复性。2-3显示制程能力之指针2-4阻止异常扩大，节省成本3.通常AEI检查出来之不良品，非必要时很少作修改，因为重去氧化层或重长氧化层可能造成组件特性改变可靠性变差、缺点密度增加，生产成本增高，以及良率降低之缺点。?? ??5?AIR?SHOWER?空气洗尘室?进入洁净室之前，需穿无尘衣，因在外面更衣室之故，无尘衣上沾着尘埃，故进洁净室之前，需经空气喷洗机将尘埃吹掉。?? ??6?ALIGNMENT?对准?1.?定义：利用芯片上的对准键，一般用十字键和光罩上的对准键合对为之。2.?目的：在IC的制造过程中，必须经过6~10次左右的对准、曝光来定义电路图案，对准就是要将层层图案精确地定义显像在芯片上面。3.?方法：A.人眼对准B.用光、电组合代替人眼，即机械式对准。?? ??7?ALLOY/SINTER?熔合?Alloy之目的在使铝与硅基(Silicon?Substrate)之接触有Ohmic特性，即电压与电流成线性关系。Alloy也可降低接触的阻值。?? ??8?AL/SI?铝/硅?靶?此为金属溅镀时所使用的一种金属合金材料利用Ar游离的离子，让其撞击此靶的表面，把Al/Si的原子撞击出来，而镀在芯片表面上，一般使用之组成为Al/Si?(1%)，将此当作组件与外界导线连接。?? ??9?AL/SI/CU?铝/硅?/铜?金属溅镀时所使用的原料名称，通常是称为TARGET，其成分为0.5﹪铜，1﹪硅及98.5﹪铝，一般制程通常是使用99﹪铝1﹪硅，后来为了金属电荷迁移现象（ELEC?TROMIGRATION）故渗加0.5﹪铜，以降低金属电荷迁移。?? ??10?ALUMINUN?铝?此为金属溅镀时所使用的一种金属材料，利用Ar游离的离子，让其撞击此种材料做成的靶表面，把Al的原子撞击出来，而镀在芯片表面上，将此当作组件与外界导线之连接。?? ??11?ANGLE?LAPPING?角度研磨?Angle?Lapping?的目的是为了测量Junction的深度，所作的芯片前处理，这种采用光线干涉测量的方法就称之Angle?Lapping。公式为Xj=λ/2?NF即Junction深度等于入射光波长的一半与干涉条纹数之乘积。但渐渐的随着VLSI组件的缩小，准确度及精密度都无法因应。如 SRP(Spreading?Resistance?Prqbing)也是应用Angle?Lapping的方法作前处理，采用的方法是以表面植入浓度与阻值的对应关系求出Junction的深度，精确度远超过入射光干涉法。?? ??12?ANGSTRON?埃?是一个长度单位，其大小为1公尺的百亿分之一，约为人的头发宽度之五十万分之一。此单位常用于IC制程上，表示其层（如SiO2，Poly，SiN….）厚度时用。?? ??13?APCVD（ATMOSPRESSURE）?常压化学气相沉积?APCVD为Atmosphere(大气)，Pressure(压力)，Chemical(化学)，Vapor(气相)及Deposition(沉积)的缩写，也就是说，反应气体（如S