半导体物理_第六章_pn结讲述.pptVIP

又 ， ， ， （2） 小3个数量级 （3） 7.计算温度从300K增加到400K时，Si p-n结反向电流增加 的倍数。 解： 已知 8. 设硅线性缓变结的杂质浓度剃度为 ， 。求反压为8V时的势垒宽度。 解： 由6－118式： 11.分别计算硅 n+p结在正向电压为0.6V，反向电压40V时的势垒宽度。 已知 ， 解： 当 时， 当 时， 12. 分别计算硅p+n结在平衡和反压45V时的最大场强，已知 ， 。 解： 由6－79式： ， 当 时， 当 时， * * * * * Q = qNAxp= qNDxp 无外加电压时单位面积的电荷量 有外加电压时 势垒区： XD=xp+xn 若pn结面积为A 对p+n或n+p, 电容简化为 讨论： 1. C与结面积A和轻掺杂杂质浓度的平方成正比； 2. C与电压(VD-V)成反比，反向偏压越大，势垒电容越小， 3. 正向偏压下势垒电容 CT(0)表示外加电压为零时的势垒电容 较深的扩散结，在pn结附近，近似为线性缓变结 势垒区空间电荷密度为 ?(x)=q(ND-NA)=q ?jx ?j为杂质浓度梯度 无外加偏压时，势垒区宽度 外加偏压下，势垒区宽度 不论杂质如何分布，在耗尽层近似下，等效为一个平行板电容 6.3.4 扩散电容 Pn结在正向偏压下，由于少子注入，在扩散区少子浓度随正向偏压的变化而变