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1.6 场效应管（MOSFET） 金属-氧化物-半导体场效应管Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor 1.基本知识概述 2.分类、命名、标识、结构 3.基本特性 4. 应用 5.制程及工艺 1.1 MOSFET的基本知识 1.1.1概述 场效应管是一种利用电场效应来控制其电流大小的半导体器件。这种器件不仅兼有体积小、重量轻、耗电省、寿命长等特点，而且还有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强和制造工艺简单,存在零温度系数工作点等优点，因而大大地扩展了它的应用范围，特别是在大规模和超大规模集成电路由于面积仅为双极型三极管的5％，因此得到了广泛的应用。 然而由于场效应管输入阻抗很高，栅极的感应电荷不易泻放，且二氧化硅绝缘层很薄，栅极与衬底间的等效电容很小感应产生的少量电荷即可形成很高的电压，容易击穿二氧化硅绝缘层而损坏管子。存放管子时应将栅极和源极短接在一起，避免栅极悬空。进行焊接时烙铁外壳应接地良好，防止因烙铁漏电而将管子击穿。 本文从场效应管的结构、特性出发，阐述其工作原理、应用。 2.1. 分类、命名、标识、结构 2.1.1按结构分，有两类 1. 结型JFET (Junction type Field Effect Transistor)