常用电子元器件识别(含图片)试题.ppt

电容的标称 2、类别温度范围 电容器设计所确定的能连续工作的环 境温度范围。该范围取决于它相应类别的 温度极限值，如上限类别温度、下限类别 温度、额定温度（可以连续施加额定电压 的最高环境温度）等。 电容的标称 3、额定电压（UR） 在下限类别温度和额定温度之间的任一温度下，可以连续施 加在电容器上的最大直流电压或最大交流电压的有效值或脉冲电 压的峰值。电容器应用在高电压场和时，必须注意电晕的影响。 电晕是由于在介质/电极层之间存在空隙而产生的，它除了可以 产生损坏设备的寄生信号外，还会导致电容器介质击穿。在交流 或脉动条件下，电晕特别容易发生。对于所有的电容器，电容器 的额定电压应高于实际工作电压的工10－20％，对工作电压稳定 性较差的电路，可留有更大的余量，以确保电容器不被损坏和击 穿。 电容的标称 4、损耗角正切（tgδ ） 在规定频率的正弦电压下，电容器的损耗功率除以 电容器的无功功率为损耗角正切。在实际应用中，电容 器并不是一个纯电容，其内部还有等效电阻，它的简化 等效电路如附图所示。对于电子设备来说，要求RS愈小 愈好，也就是说要求损耗功率小，其与电容的功率的夹 角要小。 这个关系为：tgδ=RS/XC=2*3.14*f*C* RS 。因此，在应用当中应注意选择这个参数，避免自 身发热过大而影响寿命。 电容的标称 5、 瓷介电容 瓷介电容分类： CC1 一类高频低压瓷介电容器 CT1 二类低频低压瓷介电容器 CS1 三类低频低压瓷介电容器 CC81 一类高频高压瓷介电容器 CT81 二类低频高压瓷介电容器 CT7 交流安规瓷介电容器 瓷介电容 电解电容 电解电容 容量大、体积小，耐压高（但耐压越高，体积也就越 大），一般在500V以下。常用于交流旁路和滤波。缺点 是容量误差大，且随频率而变动，绝缘电阻低。电解电 容有正、负极之分（外壳为负端，另一接头为正端）。 一般，电容器外壳上都标有“＋”、“－”记号，如无标记 则引线长的为“＋”端，引线短的为“－”端，使用时必须 注意不要接反，若接反，电解作用会反向进行，氧化膜 很快变薄，漏电流急剧增加，如果所加的直流电压过 大，则电容器很快发热，甚至会引起爆炸。 二极管 半导体二极管由一个PN结，再加上电 极、引线，封装而成。 二极管 正向特性：特性曲线的第一象限部分，曲线 呈指数曲线形状，非线性。正向电压很低时正向 电流几乎为0，这一区间称为“死区”，对应的电 压范围称为死区电压或阈值电压，锗管的死区电 压大约为0.1V，硅管的死区电压约为0.5V； 反向特性：反向电流很小，但当反向电压过高 时，PN结发生击穿，反向电流急剧增大。 二极管 晶体二极管接材料分有锗二极管、硅二极 管、砷化镓二极管。按结构不同可分为点 接触型二极管和面接触型二极管。按用途 分有整流二极管、检波二极管、变容二极 管、稳压二极管、开关二极管、发光二极 管等。 二极管 除通用参数外，不同用途的二极管，还有其各自的特殊参 数。下面介绍常用二极管的参数，如整流、检波等共有的 参数。 （1）最大整流电流 它是晶体二极管在正常连续工作时，能通过的最大正 向电流值。使用时电路的最大电流不能超过此值。否则二 极管就会发热而烧毁。 （2）最高反向工作电压 二极管正常工作时所能承受的最高反向电压值。它是 击穿电压值的一半。也就是说，将一定的反向电压加到二 极管两端，二极管的PN结不致引起击穿。一般使用时，外 加反向电压不得超过此值，以保证二极管的安全。 二极管 （3）最大反向电流 这个参数是指在最高反向工作电压下允许流过 的反向电流。这个电流的大小，反映了晶体二极 管单向导电性能的好坏。如果这个反向电流值太 大，就会使二极管过热而损坏。因此这个值越 小，表明二极管的质量越好。 （4）最高工作频率 这个参数是指二极管能正常工作的最高频率。 如果通过二极管电流的频率大于此值，二极管将 不能起到它应有的作用。在选用二极管时，一定 要考虑电路频率的高低。选择能满足电路频率要 求的二极管。 二极管 常用晶体二极管介绍 （1）整流二极管 整流二极管主要用于整流电路，即把交流电变换 成脉动的直流电。整流二极管都是面结型，因此 结电容较大，使其工作频率较低。一般为3kHZ以 下。 （2）检波二极管 检波二极管的主要作用是把高频信号中的低频信 号检出。它们的结构为点接触型。其结电容较 小、工作频率较高，一般都采用锗材料制成。 常用晶体二极管介绍 3）稳压二极管 这种管子是利用二极管的反向击穿特性制成的。 在电路中其两端的电压保持基本不变，起到稳定 电压的作用。常用的稳压管有2CW55、2CW56 等。 （4）阻尼二极管 阻尼二极管多用在高