透明导电氧化物应用於矽薄膜太阳电池前电极之技术发展(上).ppt

STUT 太陽能材料與模組實驗室 版權所有 翻印必究 透明導電氧化物應用於矽薄膜太陽電池前電極之技術發展(下) 指導教授：林克默 博士 報告學生：郭俊廷 報告日期：2010/12/27 工業材料雜誌 281 期 2010/05 吳建良 C.L. Wu1, 楊宏仁 H.J. Yang2, 黃建福 C.F. Huang3, 葉峻銘 C.M. Yeh4, 陳頤承 Y.C. Chen5 工研院太電中心(PVTC/ITRI) 1副工程師、2工程師、3副研究員、4經理、5副組長 Oultine 前電極TCO製作方法 常壓化學氣相沉積(APCVD) 濺鍍系統(Sputter Deposition System) 低壓化學氣相沉積法(LPCVD) 結論 * * STUT 太陽能材料與模組實驗室 常壓化學氣相沉積(APCVD) 在接近大氣壓力的狀況下進行化學氣相沉積 優點：高沉積速率、薄膜均勻性佳 缺點：常壓下易產生氣相反應(薄膜產生微粒)、高溫製程(成本高) * APCVD 示意圖 - 日廠AGC用此方法量產Asahi U-Type Glass，供a-Si薄膜太陽電池用。 * STUT 太陽能材料與模組實驗室 2009 - AGC 在日本舉辦之 PV EXPO展示不同散射程度(長波段)的玻璃，以符合微晶矽和堆疊式太陽池使用。 半球狀(~2μm ) Texture –增加長波段的散射 半球狀上