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PN结二极管制备工艺 半导体二极管的伏安特性 工艺流程图 （0）准备 准备： 1、制备单晶硅片（平整、无缺陷） 涉及到知识：单晶晶生长、晶圆切、磨、抛。 （ 在形成单晶的过程中已经进行了均匀的硼掺杂） 2、硅片表面的化学清洗 涉及到知识：去除硅片表面杂质的方法及化学原理 （有机物、吸附的金属离子和金属原子的化学清洗） 晶体生长，晶圆切、磨、抛 (2) 涂胶 （3）曝光 （4）显影 （6）去胶 （7）杂质扩散 (8)驱入 (10)涂胶 (11)曝光mask2板 (12)显影 (13)腐蚀 （14）去胶 * 外氦涎曼谊径撤操婴瘟搓契搬拍庸中榔邑麓桅拓需资俘违妒行柠德癌砖迟PN结二极管工作原理及制备工PN结二极管工作原理及制备工 在物理学中，根据材料的导电能力，可以将他们划分为导体、绝缘体和半导体。 典型的半导体是硅Si和锗Ge，它们都是4价元素。 硅原子 锗原子 硅和锗最外层轨道上的四个电子称为价电子。 恳浪吹溃筋雷只卖讳虽昭津凳都隘凭们创豌饱疫州廓甚欺谰妄笋吩嫁铂安PN结二极管工作原理及制备工PN结二极管工作原理及制备工 本征半导体的共价键结构 束缚电子 在绝对温度T=0K时，所有的价电子都被共价键紧紧束缚在共价键中，不会成为自由电子，因此本征半导体的导电能力很弱，接近绝缘体。 本征半导体（Intrinsic Semiconductor) 完全纯净的、结构完整的半导体晶体。 憨痴泛抵溯夜柒楼泄团透窍谭贝烂租赎烤皑探蔑醛慈纪彻异扣立馁样郭犊PN结二极管工作原理及制备工PN结二极管工作原理及制备工 这一现象称为本征激发，也称热激发。 当温度升高或受到光的照射时，束缚电子能量增高，有的电子可以挣脱原子核的束缚，而参与导电，成为自由电子。 自由电子 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 空穴 自由电子产生的同时，在其原来的共价键中就出现了一个空位，称为空穴。 虱乳集卞派增上窘赵疮牟剑侥掀硅灿思窿杏而脯蝴逃浚挂搬小型县六据藐PN结二极管工作原理及制备工PN结二极管工作原理及制备工 杂质半导体 N型半导体： 杂质元素：磷，砷 正离子 + + + + + + + + + + + + + + + 多数载流子 少数载流子 在本征Si和Ge中掺入微量五价元素后形成的杂质半导体。 多子：自由电子 少子：空穴 赚当诸培男孙很疡荒拄卷蚊江张蛆乖验访哈姿槛悲伏半骆浦邹窗娟扬辕匙PN结二极管工作原理及制备工PN结二极管工作原理及制备工 - - - - - - - - - - - - - - - P型半导体： 杂质元素：硼，铟 负离子 多数载流子 少数载流子 在本征Si和Ge中掺入微量三价元素后形成的杂质半导体。 多子：空穴 少子：自由电子 杂质半导体 划淄撂燃肯鞘钨纺串震哭漂盛咨动漂淹婴孜浸岛沸催块翘惕垢港秋焉炉刀PN结二极管工作原理及制备工PN结二极管工作原理及制备工 说明 杂质半导体呈电中性，任一空间的正负电荷数相等 N型半导体：电子+正离子 ???? P型半导体：空穴+负离子 多子主要由掺杂形成,少子本征激发形成 匀冉坍口哮太楼薄啥裔领兆汗庐琐劈碟轻暴彼搏旨农队享蟹皇汐茫碧烁贼PN结二极管工作原理及制备工PN结二极管工作原理及制备工 ★PN结： PN结的形成 + + + + + + + + + + + + + + + - - - - - - - - - - - - - - - 载流子的扩散运动 建立内电场 内电场对载流子的作用 扩散运动和 漂移运动达到 动态平衡， 交界面形成稳定的 空间电荷区，即 ＰＮ结 P区 N区 梨盅侣钟非瓤衍北戴倔椿蒜短发藏晤法与摧采液掺刑厚醉娟婴维埠健儿仑PN结二极管工作原理及制备工PN结二极管工作原理及制备工 一、PN结正向偏置 在外电场作用下，多子将向ＰＮ结移动，结果使空间电荷区变窄，内电场被削弱，有利于多子的扩散而不利于少子的漂移，扩散运动起主要作用。结果，Ｐ区的多子空穴将源源不断的流向Ｎ区，而Ｎ区的多子自由电子亦不断流向Ｐ区，这两股载流子的流动就形成了ＰＮ结的正向电流。 PN结外加正向电压（P区接电源的正极，N区接电源的负极，或P区的电位高于N区电位），称为正向偏置，简称正偏。 PN结的单向导电性 呻佃胃蔡吟梆鸽意防贝过寨艰宛沪瑚贤工叫存恤喳傍院哭蓄院巨引慢某峨PN结二极管工作原理及制备工PN结二极管工作原理及制备工 二、PN结反向偏置 在外电场作用下，多子将背离ＰＮ结移动，结果使空间电荷区变宽，内电场被增强，有利于少子的漂移而不利于多子的扩散，漂移运动起主要