纳米级含Co介孔分子筛修饰电极同时测定多巴胺和抗坏血酸.pdfVIP

、 纳米级含Co介孑L分子筛修饰电极 同时测定多巴胺和抗坏血酸 刘燕，阎永胜，尹盛，姜廷顺，王坤。 (江苏大学化学化工学院，镇江212013) 验表明，常见的简单阴阳离子和葡萄糖、半胱氨 多巴胺(DA)和抗坏血酸(从)是重要的生物医 学化合物，准确测定二者的浓度在神经化学和生 酸、柠檬酸、色氨酸、酪氨酸、谷氨酸、甘氨酸、 物分析领域都具有重要的意义。但由于两者在一 天冬氨酸等不影响测定。选取上海罗氏制药公司 般固体电极上的氧化峰电位靠近，相互干扰严 生产的美多芭药片和统一鲜橙多橙汁作为实际样 重Ⅲ，因此选择合适的修饰电极将二者的氧化峰 品，采用标准加入法进行测定，回收率在98．6％ 有效地分开，实现对其同时测定，一直是生物电 。101．7％之间。 分析工作者感兴趣的问题之一【2’3J。 3 本文制备了纳米级含C0介孔分子筛(n．CoM． 0 CM-41)【4]，并以壳聚糖(CⅢ)作为分散剂，采用物 理包埋法制得了n．CoMCM-41修饰玻碳电极(记作 二《-3 ≥．6 CoMCM．c删GC)。图1是裸玻碳电极、CH]修饰玻 碳电极(CHUC_,C)和CoMCM．CHI／GC分别在包含 ．9 1．2x10。4 4．0的0．1mol／L mol／L从和DA的、pH ．2 磷酸盐缓冲溶液中的循环伏安曲线。图1b表明， -．0．2 0．0 0．2 0．4 0．6 0．8 2iNn岱．SCE) 在裸玻碳电极上，在530mV处出现了明显的DA 图1从和DA在不同电极上的循环伏安图 氧化峰，而380mV附近的从氧化峰因DA氧化 cc；c—CoMCM-CHI／GC 8一CHI／C,C；b—hare 峰的出现被拉宽，发生严重变形，难以实现完全 将两峰分离和同时测定的目的；图1a表明，在 _5 CH]修饰玻碳电极上从和DA的氧化峰发生了完 ．4 全重叠现象，难以分离；而图1c表明在CoMCM． 詈．3 mV，DA CHI修饰电极上，从的氧化峰负移至280 ：≥ 的氧化峰正移至590mV，两者的氧化峰电位差高 ．2 达310mV，可以完全将两峰分离，且峰形良好，峰 -1 电流均明显增大，说明n-CoMCM-41对从和DA 表现出显著的电分离和增敏作用。 E／V(vs．SCE) 进一步利用差示脉冲伏安法(DPv)考察了AA 圈2从和DA浓度同时变化DYV曲线 和DA在CoMCM．CHI／C,C修饰电极上的电化学行 为(如图2所示)，研究表明从和DA的氧化峰电