结合光刻和反应性相分离技术发展一种简单有效制备微纳米复合图形的方法.pdfVIP

58 中同焙光学会2008非银盐髟荤技术材料发展与应用学术研讨会论文集 结合光刻和反应性相分离技术发展一种简 单有效制备微纳米复合图形的方法 纪强，姜学松，印杰 (J|搿交通大学化学他I学院，上海200“0) 摘要：首次通过结合反应性相分离和光刻技术．采用商业的交联剂和无规共聚物为原料 发展丁套1}常简单、有效制备同时具有微米、纳米复合结构的方法。 关键诃：光刻：反麻性相分离；微纳米图形 1引言 由丁在集成线路扳、信息贮存装置、生物芯片和微机电系统中的J泛应_LI{，微纳米幽形 越米越受剑研究者的重视。为r寻找一套简单、有效的制需微纳米级幽形的途径，各国研究 者开发出多种方法如激光光致化学沉积(LCVD)、微接触印刷(uCP)，兜刻和白组装。 在所有这些方法中，光刻技术是唯一鹰川电于|二业生产制备微米级图形的方法；然而由于紫 外光的波长#l光的衍射等缘按，光刻技术很难制备纳米级(小rIOOnm)的蚓形。利用相分 离嵌段聚合物的自组装，可吼制备山尺寸在10-IOOnm左右的纳米级厢形。但是人多数嵌段 聚合物的制备是通过费时、费力{舌性聚合进行的．根难I：业化。和啦段聚合物n组挫相比， 研究人员发现在反席性相分离过样中，商用的均聚物和无规共聚物在聚台物网络中也能形成 纳米级的相分离。 结合光刻和反应性相分离挂术，我W』发展了一套简单、有效地制备微纳米复台酗形的方 法。选用商州的二羟甲基丙烷三丙烯酸酯(TMPTA)和聚苯乙烯甲基丙烯酸叩酯无规批聚 物作为薄膜的主体，牡个方案如图-1所示。通过光刻首先得到可控的微米级的幽彤(A—c)： 在紫外光下，曝光的区域产生自由基进行交联反应彤成不j辑的聚台物网络，进一步的显影可 以得到可控盼微米缴的图形。纳米级的图形可以通过进一步的反应性相分离得到(D-E)： 通过200℃热处理，曝光区域束反应的不饱和双键进一步交联，形成更紧密的交联网络，部 分的无规麸聚物被挤山交联网络形成相分离；在氯仿进一步洗掉突起的无规菸聚物，可以得 到纳米级的图形。 Figl 中国堪光学会2008非镕盐影像技术厦材料发＆与m用学束研讨去论史集 59 2结果与讨论 湖。是光刻后进步200℃淬火】2小时后的AFM图形。从幽。中可以看出，大的微 米级的图形!J掩模版致，膜厚约为100am左右；在曝光的R域山现高为45rim、直径约为 l um的凸起。由丁丙烯酸酯在高温如200C能进行热罪合，因此在淬火的过程中，未进行 光聚合的取键进 步热交联，形成更加数密的教练网络使得交联网络与无规共聚物 PS-r-PMMA 2-间的泄台熵减小，导致相分离。山于TOPTA热交联反应谜度lL常快，而高分 rPS．r-PMMA运动较慢，因此薄膜山部的进步相分离被形成的变联网络压制，导致 PS．r-PMMA不得不被挤出表面．形成凸起。通过曝光区域在200C下淬火不同时间的An 图象看出：随着淬火时间增仗．发而的凸起越米越多、越米越人，这表明被挤出的PS—r-PMMA 随淬虫时问的延睦而增多。 』几稚。黼山，灿 ”…U3…U aI forl2hSc∞sizeis 200C 50x50Vm”200am and鲫n∞l_ng ， ，吖 ^Ⅳ 吖 ‘。 震萱轴 慵 3 aI200℃forl2h∞d ehlomf—for4hS…∞is FigAFMimagea‰∞nollng de．10pingin