[第十一讲]场效应管放大电路.pptVIP

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2017-03-27 发布于四川
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[第十一讲]场效应管放大电路

第十一讲 4 场效应管放大电路 4.4 场效应管放大电路 4.4.1 FET的直流偏置电路及静态分析 1. 直流偏置电路 2. 静态工作点 4.4.2 FET放大电路的小信号模型分析法 1. FET小信号模型 2. 动态指标分析（1）中频小信号模型例：场效应管的共源极放大电路例4.4.2（源极输出器） 4.5 三种基本放大电路的性能比较例题(FET-BJT多级放大器）：设 gm=3mA/V，?=50，rbe = 1.7k 例4.5.1 共源-共基电路的高频响应课外作业 * Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 4.1 结型场效应管 4.3 金属-氧化物-半导体场效应管 4.4 场效应管放大电路 4.5 各种放大器件电路性能比较 *4.2 砷化镓金属-半导体场效应管 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. ? 直流偏置电路 ? 静态工作点 ? FET小信号模型 ? 动态指标分析 ? 三种基本放大电路的性能比较 4.4.1 FET的直流偏置及静态分析 4.4.2 FET放大电路的小信号模型分析法 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. （1）自偏压电路（2）分压式自偏压电路 vGS vGS vGS vGS vGS vGS = - iDR Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 4.4 结型场效应管 Q点： VGS 、 ID 、 VDS vGS = VDS = 已知VP ，由 VDD - ID (Rd + R ) - iDR 可解出Q点的VGS 、 ID 、 VDS Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 4.4 结型场效应管（1）低频模型 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 4.4 结型场效应管（2）高频模型 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 4.4 结型场效应管 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 4.4 结型场效应管 2. 动态指标分析（2）中频电压增益（3）输入电阻（4）输出电阻忽略 rD 由输入输出回路得则通常则 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 一、静态分析求：UDS和 ID。设：UGUGS 则：UG?US 而：IG=0 所以： UDD=20V uo RS ui CS C2 C1 R1 RD RG R2 RL 150k 50k 1M 10k 10k G D S 10k Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-