模拟电子技课程复习提纲(复习必备).doc

第一章 半导体器件 §1.1半导体基础知识 1、本征半导体：本征半导体、本征激发、复合、本征半导体导电机理； 2、杂质半导体：杂质半导体、N型半导体、P型半导体、多数载流子、少数载流子； 3、PN结：PN结的形成机理、扩散运动与漂移运动、PN结的本质、PN结的单向导电特性； 4、温度对本征半导体、杂质半导体、PN结导电能力的影响； 5、PN结的伏安特性：，当T=300K时，伏安特性曲线：反向击穿区、反向截止区、死区、正向导通区； 6、PN结的反向击穿特性：击穿类型、击穿原因（雪崩击穿、齐纳击穿）； 7、PN结的电容效应：势垒电容CT、扩散电容CD，PN结电容效应的非线性、正偏和反偏时主要考虑那个电容。 §1.2半导体二极管 1、二极管的结构、分类、符号； 2、二极管的伏安特性：，⑴正向特性：死区开启电压Uth=0.5V（Si）、0.1V（Ge），正向导通电压UD(on)=0.7V（Si）、0.2V（Ge），⑵反向特性：反向截止区，反向击穿区； 3、二极管的温度特性； 4、二极管的参数及其含义：、、、、、、； 5、二极管的等效模型：理想模型、理想二极管串联恒压将模型、折线模型、小信号（微变等效）模型（注意微变等效模型的应用条件）； 6、二极管电路的分析方法：⑴直流图解法、⑵模型解析法⑶交流图解法（在Q点附近幅度较小时使用）、⑷微变等效电路分析法； 7、稳压二级管：稳压二极管工作原理、