模电概念复题C
第一章 电路基本元件
一、判断下列说法是否正确,用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
(1)在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。( )
(2)因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。( )
(3)PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。( )
(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。
( )
(5)结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其RGS大的特点。( )
(6)若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零,则其输入电阻会明显变小。( )
解:(1)√ (2)× (3)√ (4)× (5)√ (6)×
二、选择正确答案填入空内。
(1)PN结加正向电压时,空间电荷区将 。
A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽
(2)设二极管的端电压为U,则二极管的电流方程是 。
A. ISeU B. C.
(3)稳压管的稳压区是其工作在 。
A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿
(
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