半导体材料在MEMS器件中的应用——Si,III-V族化合物和Si氮化物.doc

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半导体材料在MEMS器件中的应用——Si,III-V族化合物和Si氮化物.doc

半导体材料在MEMS器件中的应用 ——Si, III-V族化合物和Si的氮化物 欧阳晋 微电子系 摘要 由于MEMS系统的多用途性和材料在微尺度下的特殊性质,这个领域使用了许多在微电子电路中很少采用的结构材料,比如弹性材料PDMS和PMMA,磁性材料Fe, Ni,表面改性薄膜PEG(poly(ethylene glycol))[1]等。这些材料的需要特殊的微加工技术,一般与CMOS加工技术不兼容,难以和电子系统集成。因此,一些在微电子行业中经常采用的半导体材料被越来越多地应用到MEMS系统中,以降低成本,增加产量,提高可靠性和可集成性。另外,由于电化学微加工技术的发展,一些半导体材料也成为重要的3D结构材料。本文对近年来在MEMS领域中常用的半导体材料(Si, III-V族化合物和氮化物)进行回顾,以实际的研究成果为例子,主要讨论这些材料的特性和微加工问题,最后对半导体材料在MEMS领域中的应用进行展望。 1. INTRODUCTION 飞速发展的微加工技术,为MEMS器件的发展奠定了基础。像微电子技术一样,MEMS技术将大规模的微型器件集成到面积很小的芯片上(通常为mm2量级),不但降低了成本提高了产量,而且由于其便携性,正在逐渐替代一些大尺寸的设备。特别重要的是,因为材料和结构在小尺寸下体现出来的特殊性质(见Table 1,这些特性主要体现在物理量大小关系的变化上),MEMS器件能获得一些大尺寸器件所不具备的特性。商业化的MEMS产品,比如MIMU(惯性测量器件单元:微加速度计,微陀螺仪[2]等),生物检测序列[3]和微镜阵列,不仅在特殊的领域和场合发挥了重要作用,而且对人们的日常生活产生了深刻的影响。 微加工技术是MEMS技术的基础。早期的MEMS器件多采用集成电路中比较成熟的加工技术通过光刻,刻蚀,淀积和生长材料来形成所需的结构。这种技术的主要结构材料是Si(定型和无定型),产生的结构维度较低,机械性能也很有限,而且会产生较大的材料应力(在后面的例子中我们会看到,这样的应力也可以被用来形成一些结构)。随着对加工精度,加工材料种类和结构性能的要求的提高,各种新的加工技术不断地被开发出来。这些加工技术不但适应加工各种材料的需求,也能形成各种所需要的结构。但是,像比较传统的加工技术而言,这些新技术成本高,可靠性差,也受到一些适用范围的限制。因此传统微加工技术,从成本和可靠性角度来说,仍然是最主要的加工手段。 从材料的角度来看,MEMS特殊的多用途性使其结构材料的种类十分繁多。除了传统的Si以外,金属氮化物或硅化物常作为机械材料被加以运用;在流体和生物MEMS中,各种聚合物薄膜如PDMS,PMMA和PEG常作被加工为结构;Pt,Au等贵重金属被用来制作电极,构成范性很大的结构,也可以被用作弹性薄膜或者改性表面。半导体材料,由于其成熟的加工技术和特殊的力学电学特性,也越来越多地被应用到器件之中。本文将重点介绍Si,III-V族半导体材料和Si的氮化物在MEMS器件中的应用。 本文先介绍现在的MEMS微加工技术中Si作为结构材料的应用,并简单介绍3类主流技术(表面硅加工,体硅加工和模具工艺)。然后对III-V族半导体材料,主要是GaAs和InP的应用进行介绍,并且介绍一种新的加工技术CELT[4]。最后介绍Si的氮化物的应用。 Table 1 各主要物理量在尺寸缩小时的变化趋势 Parameter Scaling 1 Length(L) L 2 Area(A) L^2 3 Volume(V) L^3 4 Surface area/Volume 1/L 5 Mass(M) L^3 6 Inertial force(F) L^3 7 Max. inertial stress() 1/L 8 Max. centrifugal stress() 1 9 Power(W) L^2 10 Power/Volume(W/V) 1/L 11 Structural natural frequency() 1/L 12 Characteristic diffusion time(t) L^(1/2) 13 Electrostatic force() L^2 14 Magnetic force(electromagnet)() L^4 15a Magnetic force(permanent)() L^3 15b Piezoelectric force() L^2 16 Surface tension L 2. Si在MEMS中的应用 2.1. 特性 随着MEMS和微加工技术的兴起,Si从一开始就成为了MEMS器件中最重要的结构材料。直到现在,它仍然是不

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