《数字集成电路基础》09 Mos6MOS集成电路的版图设计.ppt

Chapter 5 MOS集成电路的版图设计5-1 工艺设计 工艺设计的任务是设计工艺流程，定工艺条件。我们主要要了解各次光刻版的作用，为学习版图设计打下基础。 一、N沟E/D MOS电路的铝栅工艺流程： 铝栅即栅极用Al制作 二、N沟MOS硅栅工艺 1、衬底制备，场区氧化 硅栅工艺的优点： 1、栅自对准： 自对准是一种在圆晶片上用单个掩膜形成不同区 域的多层结构的技术，它消除了用多片掩膜所引起的 对准误差。在电路尺寸越来越小的情况下，这种方法 用得越来越多。 在硅栅工艺中，栅极起漏源扩散的掩膜作用，可 以实现自对准的源极和漏极的离子注入，使栅区与漏、 源交迭部分减小，寄生电容↓ 形成了图形的多晶硅条用作离子注入的掩膜，用自己的“身体”挡住离子向栅极下结构（氧化层和半导体）的注入，同时使离子对半导体的注入正好发生在它的两侧，从而实现了自对准。 原来呈半绝缘的多晶硅本身在大量注入后变成低电阻率的导电体。 可见多晶硅的应用实现了“一箭三雕”之功效。 2、漏、源尺寸可小 A：扩散之前进行栅氧化，避免了栅氧化时的再分布，可得到浅结（纵向看） B：铝引线可与栅区重迭，因中间有绝缘层；而铝栅工艺铝引线与栅极在一个平面上，中间需要有间隔 3、两层半布线 铝栅工艺：AL层、扩散层：两层布线 硅栅工艺： AL层 多晶Si层 扩散0.5层 三、CMOS 铝栅工艺 CMOS工艺是当代VLSI的主流工艺技术，其特点是将NMOS器件与PMOS器件同时制作在同一硅衬底上。 CMOS工艺技术一般可分为三类，即 P阱CMOS工艺 N阱CMOS工艺 双阱CMOS工艺 CMOS是在PMOS工艺基础上于1963年 发展起来的，因此采用在n型衬底上的p阱制备NMOS器件是很自然的选择。由于氧化层中正电荷的作用以及负的金属(铝)栅与衬底的功函数差，使得在没有沟道离子注入技术的条件下，制备低阈值电压(绝对值)的PMOS器件和增强型NMOS器件相当困难。于是，采用轻掺杂的n型衬底制备PMOS器件，采用较高掺杂浓度扩散的p阱做NMOS器件，在当时成为最佳的工艺组合。 考虑到空穴的迁移率比电子迁移率要低近2倍多，且迁移率的数值是掺杂浓度的函数(轻掺杂衬底的载流子迁移率较高)。因此，采用p阱工艺有利于CMOS电路中两种类型器件的性能匹配，而尺寸差别较小。 P阱CMOS工艺 P阱工艺用离子注入或扩散的方法在N型衬底中掺进浓度足以中和N型衬底并使其呈P型特性的P型杂质，以保证N沟道器件的正常特性。 P阱杂质浓度的典型值要比N型衬底中的高5~10倍才能保证器件性能。然而P阱的过度掺杂会对N沟道晶体管产生有害的影响，如提高了阈值电压，增加了源极和漏极对P阱的电容等。 P阱CMOS工艺 电连接时，P阱接最负电位，N衬底接最正电位，通过反向偏置的PN结实现PMOS器件和NMOS器件之间的相互隔离。 P阱CMOS的基本结构： 1、场区氧化， P－阱光刻（MK1） 四、CMOS硅栅工艺（封闭栅工艺 C2L） 封闭栅工艺：硅栅将漏极包围起来 六次光刻： 1、MK1：P－阱 2、MK2：硅栅 3、MK3：P＋区 4、MK4：N＋区 5、MK5：引线孔 6、MK6：反刻AL 特点： 1、N＋掺杂区为N管共源平面，接VSS N管和N管之间源不用另外连接，很多N管的源只需一个引线孔即可接地 P＋掺杂区为P管共源平面，接VDD 2、P管区和N管区用接VDD的多晶Si框隔离：与隔离环相比面积小、效果好。（电子在多晶Si下聚集，不易反型） 五、 硅栅CMOS条栅工艺 N阱CMOS工艺 为了实现与LSI的主流工艺（E/D NMOS）完全兼容，n阱CMOS工艺得到了重视和发展。它采用与E/D NMOS相同的p型衬底制备NMOS器件，采用离子注入形成的n阱制备PMOS器件，采用沟道离子注入调整两种器件的阈值电压。 和P阱CMOS相反，它是在P型衬底上形成N阱。在这种情况下，N阱中和了P型衬底， P沟道晶体管会受到过度掺杂的影响。 早期的N阱工艺和P阱工艺两者并存发展。但由于N阱CMOS工艺的一系列优点，因此成为更常用的工艺 。 n阱CMOS工艺的优点 1、与E/D NMOS工艺完全兼容，可以直接利用已经高度发展的NMOS工艺技术。 2、制备在轻掺杂衬底上的NMOS器件性能得到了最佳化--保持了高的电子迁移率，低的n+结的寄生电容，降低了漏结势垒