采用刻槽埋栅方法制作低倍聚光电池的研究.pdf

．84· 中国太阳能光伏进展 I 采用刻槽埋栅方法制作低倍聚光电池的研究 【摘要】 【关键词’】 ． 宋爽励旭东许颖 北京市海淀区花园路3号北京市太阳能研究所有限公司北京100083 我们制作的是平面结聚光硅太阳电池，它的应用光强为十个太阳。采用的是0．5～ 1 Q·cm的p型100电池片。因为此聚光电池是用在特殊场合，考虑到栅线的 横截比、周长以及沟槽的形貌对于电池的性能有着极大的影响，所以设计了特 殊的栅线结构。选用的硅片尺寸为25 cm×98 Cm。主栅长97．5 mm、宽2 mm， 栅线间距是0．06 min。细栅长22．6 mm，间距是0．5 mm。通过改变激光机的频 率、电流以及速度，利用显徼镜观察、比对各种沟槽的表面形貌以及沟槽的宽 度，深度。选择合适的条件(沟槽深为45 Izm，宽为45 Izm)刻出表面平整且适 合化学镀的沟槽。严格的控制反应的时间和反应的温度，使得沉积的金属(Ni —Cu—Ag)致密、均匀。 刻槽埋栅电池聚光硅电池 Study of low·concentrator buried contact silicon cell Song Shuang Li Xudong Xu Ying Bering solar energy research institute co．，ltd，nO．3 huayuan road，haidian district，beOing，100083 0前言 目前，聚光太阳电池主要有聚光硅太阳电池和聚光砷化镓太阳电池两大类。 我们制作的是平面结聚光硅太阳电池，，它类似于常规电池，它的应用光强为十个太阳。 考虑到电池所要求的特殊尺寸，以及影响刻槽电池效率的诸多因素。所以我们在电池设计方 面主要注意以下几个方面：减少表面遮光面积；选用低阻衬底；低掺杂发射极；良好的表面 钝化以及良好的金属接触【l】。 “ 刻槽埋栅太阳电池的制作过程如下： 去损伤层一硅片表面织构化一扩散一刻槽一重扩一制作上、下电极一去边； ^ ● 晶体硅太阳电池及材料．85． 1实验 1．1 电池的基体电阻率 基体电阻率对于聚光电池的性能具有十分重要的影响。 电池工作在很高的光强下，高密度的电流要流过基体，必然要产生较高的电压降，它要 影响电池的输出。聚光电池设计时必须使这种影响尽可能地小，通常这种损失应当低于2％。 采用低电阻率的基体材料是减小这种损失的有效办法。。就11+／p型电池来说，采用低电阻率的 基体有利于提高开路电压。另外基体电阻率越低，背电极和硅的接触电阻也越低【2】。选择合 适的衬底和厚度可以有效地减少电池背面的少数载流子的复合。所以，我们选用的是0．5～ 1 Q·cm的p型电池片。图1为刻槽埋栅电池的结构图。 图1 刻槽埋栅电池的结构示意图 1。2特殊的栅线结构 刻槽埋栅太阳电池对于栅线的形状是有一定要求的，聚光硅太阳电池的栅线结构是影响 电池的实际输出和使用寿命的关键因素之一。 ． 沟槽的表面复合影响开路电压，沟槽的截面纵横比影响电池的填充因子p】，由此可见， 沟槽的尺寸和形貌都非常的重要，所以需要控制沟槽的几何形貌，从而改善电池的相关技术 参数，提高电池效率。在本实验中，通过几种不同槽型的对比，我们采用的是近方形的沟槽， 我们发现横截面为45 lim×45 lim的槽比较好。聚光电池的栅线结构和常规电池的另一个区 别是栅线的厚度，当电池工作在10个太阳时，流过栅线的电流密度非常大，这样大的电流 密度要引起合金化效应以及电迁移效应(electromi-gration)，增加接触电阻。增加栅线的厚 度是克服这些影响的有效手段。 ’ 由表l和图2可以看出，激光机速度低，沟槽内表面形貌不好(样品2)。这是因为激光 打到硅片表面不能形成连续的光，所以沟槽内表面凹凸不平。沟槽内表面不平，就会影响在 沟槽内沉积镍、铜、银。就会增大接触电阻，导致电池效率降低。。 表1沟槽的设计方案 频率 电流 槽宽 槽深 样品 表面形貌 (kHz) (A) (1im) (“m) l 25 11．5 45 45 好，槽表面较平整，无熔化再结晶的球状固体 2 20 11 31 29 不好，槽边不齐，沟槽表面凹凸不平 ．86． 中国太阳能光伏进展 (a)样品1 图2沟槽表面形貌的放大图片 栅线占电池面积的比例应随着工作光强的增加而增大。这是由于高密度的电流流过栅 线，它们的电阻变得重要起来【2】。常规电池栅线约占电池面积的7％～8％，那么工作在几十个 太阳至几百个太阳的聚光硅太阳电池栅线就要占电池面积的12％，甚至更多。在本实验中， 栅线面积占电池面积的16％。 “ ， 电池串联电阻的接触电阻部分与栅线的周长成反比。栅线的总周长越长，越能克服电流 群聚，减少接触电阻。因为此聚光电池是用在特殊场合，对硅片的尺寸有一定的要求，所以