薄膜及其制备题稿.ppt

* 薄膜材料及其制备 概 念 采用一定方法，使处于某种状态一种或几种的物质以物理或化学方式沉积于衬底材料表面，在衬底材料表面形成一层新的物质。 是由离子、原子或分子的沉积过程形成的二维材料。 状态 气态 液态 固态 结晶态 非晶 多晶 单晶 组成 金属薄膜 非金属薄膜 物性 硬质薄膜 超导薄膜 金属导电薄膜 介电薄膜 半导体薄膜 光学薄膜 磁学薄膜 一、物理气相沉积-蒸发法 1. 物质的热蒸发 利用物质高温下的蒸发现 象，可制备各种薄膜材料。 与溅射法相比，蒸发法显 著特点之一是在较高的真空 度条件下，不仅蒸发出来的 物质原子或分子具有较长的 平均自由程，可以直接沉积 到衬底表面上，且可确保所 制备的薄膜具有较高纯度。 制备方法 2. 元素的蒸发速率 环境中元素的分压降至其平衡蒸气压之下时，就会发生元素的蒸发。 元素的平衡蒸气压Pe随温度的变化率： 纯元素多以单个原子，但有时也可能是以原子团的形式蒸发进入气相。 ● 大多数金属，当温度达到元素熔点时，其平衡蒸气压也低于10-1Pa， 这种情况下，要想利用蒸发方法进行物理气相沉积，需将物质加热到其 熔点以上。 ● 另一类物质，如Cr、Ti、Mo、Fe、Si等，在低于熔点的温度下， 其蒸汽压已相对较大。可直接利用升华现象，实现元素的气相沉积。 Ti升华泵：轰击蒸发吸附气体 石墨：无熔点，电极间高温放电蒸发 3. 化合物与合金的蒸发 沉积后的薄膜可能偏离蒸发源化学组成（成分、物相） 气相分子化合与分解 薄膜成分偏离蒸发源成分 对于二元合金 理想溶液：AB二元合金的两组元A—B原子间的作用能与A—A 或B—B原子间的作用能相等的合金。 合金中组元的平衡蒸气压将小于纯组元的蒸气压： PA=xA PA(0) ； PB=xB PB(0) 蒸汽压和蒸发速度都将不同 一般为非理想溶液：组元蒸气压之比将更加偏离合金的原始成分。当组元B与其他组元的吸引作用力较小时，它将拥有较高的蒸气压；反之，其蒸气压将相对较低。PA=αA PA(0) ； PB=αB PB(0) A、B两组元蒸发速率之比 利用上式可估算所需使用的合金蒸发源的成分。如：在1350K，A1的蒸气压高于Cu，为获得Al—2％Cu(质量分数)成分的薄膜，需要使用的蒸发源成分为A1—13.6％Cu(质量分数)。 但组元蒸发速率之比将随时间变化 ● 采用多的蒸发源 ● 不断加入易蒸发组元 ● 采用多蒸发源 沉积均匀性 ● 蒸发源的形式 ● 蒸发源距衬底的距离 ● 衬底位置与运动蒸发源 4. 真空蒸发装置 ● 电阻式蒸发装置 使用温度高； 高温下蒸汽压低； 不与被蒸发物质反应； 无放气和污染； 适当的电阻率。 W、Mo、Ta等难熔金属或石墨的片、舟、丝（螺旋 润湿性 ） 普通电阻加热或感应加热。 ● 电子束蒸发装置 电阻加热的缺点：可能造成 污染；加热功率或加热温度有限，不适于高纯或难熔物质的蒸发。 电于束蒸发装置正好克服了电阻加热法的不足 被加热物质放于水冷的柑祸中，电子束只轰击其中很少一部分物质，而其余的大部分物质在坩埚冷却作用下一直处于低温，即后者实际上变成了被蒸发物质的坩埚。因此．电子束蒸发沉积可避免坩埚材料的污染。 在同一蒸发沉积装置中可以安置多个坩埚，可同时或分别蒸发和沉积多种不同物质。 装置中，由加热的灯丝发射出的电子束受到数千伏的偏置电压的加速，并经过横向布置的磁场偏转后到达被轰击坩埚处。磁场偏转法可避免灯丝材料的蒸发对于沉积过程可能造成的污染。 其缺点是电子束的绝大部分能量要被坩埚的水冷系统带走。因而其热效率较低；另外，过高的加热功率也会对整个薄膜沉积系统形成较强的热辐射。 ● 电弧放电蒸发装置 也具有避免电阻加热材料或坩埚材料的污染，加热温度较高的特点，特别适用于熔点高，同时具有一定导电性的难熔金属、石墨等的蒸发。同时，这一方法所用的设备比电子束加热装置简单，是一种较为廉价的蒸发装置。 欲蒸发的材料制成电极，依