薄膜制备与表面08题稿.ppt

LEED ?? 引言 1921年 Davisson 和Germer就研究了电子束在单晶表面的散射现象。并发现了电子的散射不是各向同性的。 30年代后，人们开始了低能电子衍射方面的研究。 50年代，随着超高真空技术的发展，人们识别到获得清洁表面对观察低能电子衍射图象的重要性，用LEED研究了Ti, Ge, Si, Ni, SiC等的表面原子排列，并开始研究气体在单晶表面的吸附现象。 LEED ?? 引言 从七十年代开始，开展了 LEED 强度特性的理论研究，并结合计算机模拟计算，对表面结构进行研究。 目前，人们已对一百多种表面结构进行了研究，得到许多表面吸附结构方面的新知识。 LEED ??低能电子衍射 入射电子的能量通常为20~ 500 eV，对应的波长为0.3~0.05 nm。 LEED ??低能电子衍射 LEED ??低能电子衍射 晶体中的原子对能量在0~500 eV范围内的电子有很大的散射截面，入射电子在经受弹性或非弹性散射之前是不能进入晶体很深的。因此，背散射电子中绝大部分是被表面或近表面的原子散射回来的，这就使低能电子衍射成为研究表面结构的一个理想的手段。 LEED ??低能电子衍射 正是由于晶体原子对低能电子散射的截面很大，使得电子在离开晶体前经受多次散射的几率很大，这种现象称为多重散射。 由于多重散射的存在，使低能电子衍射结果的分析变得极为复杂。至今，还不能唯一地根据低能电子衍射数据决定晶体表面原子的排列，这方面的研究仍在继续进行之中。 LEED ??低能电子衍射 LEED ??低能电子衍射 由于表面原子的散射截面很大，起散射作用的主要是表面第一层原子，作为近似，可按二维散射考虑。对于一维原子链，则相邻原子间的光程差等于波长的整数倍时，散射波发生衍射。对于垂直入射的电子，则衍射条件为： 　　acos?h = h?，　h=0, ?1, ?2, …… ? 表明衍射方向处在与轴线成?h的圆锥面上。 LEED ??低能电子衍射 如果荧光屏位于电子枪的同一方，且是以衍射栅为球心的一个球面，则衍射圆锥和荧光屏的交线是一组直线，间距为r?/a，r是荧光屏的半径。 LEED ??低能电子衍射 对于二维网格，设二维网格单元是长方形，x方向间距为a，y方向的间距为b。对垂直入射的情况，在x方向发生衍射的同时，在y方向上也有类似的衍射发生。因此，对二维衍射栅，荧光屏上显示出一组点 。 LEED ??低能电子衍射 对于较复杂的二维晶格，衍射条件为： (s ? s0)·(pa + qb) = n? 若电子束垂直入射，则有 ?s·(pa + qb) = n? ? 即 s·a = h?，s·b = k?。 LEED ??低能电子衍射 在二维倒格子中，衍射方程为： (s ? s0)/ ?= Hhk+N N是垂直于倒易晶格的一个矢量。由衍射方程，可以利用反射图的概念确定衍射方向。 LEED ??低能电子衍射 LEED ??低能电子衍射 LEED ??低能电子衍射 LEED ??基本理论及应用 运动学理论： 先考虑一维情况，设有M个原子，则相邻原子散射波的光程差为： ?＝-2?(s ? s0)·d/λ ＝-K·d ? K为散射矢量。 LEED ??基本理论及应用 若第j个原子的散射波为： ?j = Acos[?t+?+j?] = Re[Aexpi(?t+?+j?)] 则合成的散射波为： LEED ??基本理论及应用 对于基矢为a, b，每个晶格内有N个原子的二维晶格，有： 其中fn为网格内第n个原子的散射因子。 LEED ??基本理论及应用 定义F为单元网格的结构因子，则总散射波的强度为： 即K ? a = 2h?，K ? b = 2k?时，发生衍射极大。 LEED ??基本理论及应用 结构因子F为： 将引起衍射光点的强弱不同，甚至消光。 LEED ??基本理论及应用 吸附表面的LEED图案： 单晶表面吸附气体时，LEED图案将随之变化。改变后的衍射图案反映了吸附原子的排列规律。吸附表面的衍射图案和原单晶面的衍射图案有一定的几何关系。 LEED ??基本理论及应用 W(100)面吸氧前后的衍射图案及可能的吸附原子在表面的排列。根据这一结果，可以推测氧在W(100)面的排列可能是W(100)(2?2)-O。 LEED ??基本理论及应用 对于复杂的情况，吸附面的原子排列可能有多种形式，因为吸附面衍射图只说明吸附原子的单元网格的形状和大小，并不能给出具体的原子位置。 LEED ??基本理论及应用 LEED ??基本理论及应用 可以用代数矩阵方法从吸附原子排列求衍射图，也可从衍