模拟电子技术1第四节场效应三极管题稿.ppt

第四节 场效应三极管 结型场效应管 绝缘栅场效应管 场效应管的主要参数 下页 总目录 场效应三极管中参与导电的只有一种极性的载流子（多数载流子），故称为单极型三极管。 分类： 结型场效应管 绝缘栅场效应管 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 N沟道 P沟道 P沟道 下页 上页 首页 概 述 一、结型场效应管 1. 结构 N型沟道 耗尽层 g d s g d s P+ P+ N沟道结型场效应管的结构和符号 栅极 漏极 源极 下页 上页 首页 2. 工作原理 uGS = 0 UGS(off)uGS 0 uGS = UGS(off) ⑴ 当uDS = 0 时， uGS 对耗尽层和导电沟道的影响。 ID=0 ID=0 下页 上页 首页 N型沟道 g d s P+ P+ N型沟道 g d s P+ P+ g d s P+ P+ UGS(off)称为夹断电压，是个负值 沟道较宽，iD 较大。 iS = iD iD iS iD iS uGS=0，uGD UGS(off) uGS 0，uGDUGS(off) ⑵ 当uDS ＞ 0 时， uGS 对耗尽层和 iD 的影响。 N P+ P+ VGG VDD g d s N P+ P+ VDD g d s 沟道变窄， iD 较小。 下页 上页 首页 N P+ P+ iD iS VGG VDD P+ P+ iD iS VGG VDD uGS 0，uGD= UGS(off)， uGS ≤ UGS(off) ，uGD UGS(off)， iD ≈ 0， 导电沟道完全夹断。 iD更小， 导电沟道预夹断。 下页 上页 首页 3. 特性曲线 ⑴ 转移特性 iD = f（uGS）|uDS=常数 g d s mA V V ID VGG VDD 场效应管特性曲线测试电路 Ｎ沟道结型场效应管转移特性　 IDSS UGS(off) 饱和漏极电流 栅源间加反向电压 uGS 0 利用场效应管输入电阻高的优点。 uGS/V iD/mA O 下页 上页 首页 ⑵ 漏极特性 iD=f（uDS）|uGS=常数 预夹断轨迹 可变 电阻区 恒流区 击穿区 |UGS(off)|8V IDSS uGS=0 -4 -2 -6 -8 iD/mA uDS/V O |uDS-uGS|= |UGS(off)| a.可变电阻区： iD 与uDS 基本上呈线性关系， 但不同的uGS 其斜率不同。 b.恒流区：又称饱和区， iD 几乎与uDS 无关， iD 的值受uGS 控制。 N沟道结型场效应管的漏极特性 c.击穿区： 反向偏置的PN结被击穿， iD 电流突然增大。 夹断电压 下页 上页 首页 二、绝缘栅场效应管 1. N沟道增强型MOS场效应管 ⑴ 结构 P型衬底 N+ N+ B s g d SiO2 铝 P衬底杂质浓度较低， 引出电极用B表示。 N+两个区杂质浓度很高， 分别引出源极和漏极。 栅极与其他电极是绝缘的， 通常衬底与源极在管子内部连接。 s g d B 下页 上页 首页 P型衬底 N+ s g d B N+ 开启电压，用uGS(th)表示 ⑵ 工作原理 当uGS 增大到一定值时， 形成一个N型导电沟道。 N型沟道 uGS UGS(th)时 形成导电沟道 VGG 导电沟道的形成 假设uDS = 0 ，同时uGS 0 靠近二氧化硅的一侧产生耗尽层， 若增大uGS ，则耗尽层变宽。 又称之为反型层 导电沟道随uGS 增大而增宽。 下页 上页 首页 uDS对导电沟道的影响 uGS为某一个大于UGS(th)的固定值，在漏极和源极之间加正电压，且uDS uGS - UGS(th) 即uGD = uGS - uDS UGS(th) 则有电流iD 产生， iD 使导电沟道发生变化。 当uDS 增大到uDS =uGS - UGS(th) 即uGD = uGS - uDS = UGS(th) 时， 沟道被预夹断， iD 饱和。 P型衬底 N+ N+ s g d B VGG N型沟道 VDD uDS对导电沟道的影响 下页 上页 首页 ⑶ 特性曲线 IDO UGS(th) 2UGS(th) 预夹断轨迹 可变 电阻区 恒流区 iD/mA uDS/V O uGS/V iD/mA O 当uGS ≥ UGS(th)时 下页 上页 截止区 转移特性曲线可近似用以下公式表示： 首页 2. N沟道耗尽型MOS场效应管 预先在二氧化硅中掺入大量的正离子， 使uGS = 0 时， 产生N型导电沟道。 当uGS 0 时，沟道变窄， 达到某一负值时被夹断， iD ≈ 0，称为夹断电压。 uGS 0 时，沟道变宽， iD 增大。 g d s B 下页 上页 首页 P型衬底 N+ N+ s g d B N型沟道 + + +