14数字逻辑4-2教案.ppt

* FLASH存储器? 也称闪存，高密度非易失性的读／写存储器。有RAM和ROM的优点。 FLASH存储元 FLASH的基本操作 FLASH的阵列结构 * FLASH存储元 存储元:单个MOS晶体管组成. 漏极D,源极S，控制栅和浮空栅。 浮空栅: 电子多: 状态0 电子少: 状态1 控制栅正电压: 状态1:SD导通 ;状态0:SD不导通 ;读出 源极S正电压: 吸收浮空栅电子 擦除 写1 控制栅足够正电: 浮空栅聚集电子 写0 （编程） . * ?三种基本操作: 编程:控制栅为编程电压VP 写0 操作。 控制栅无正电 ：相当于写1 擦除:源极S为正电压，相当于写1. 读出：:控制栅加读出电压VR 状态1:SD导通 ;状态0:SD不导通 ; * FLASH阵列结构  各种存储器性能比较( 表4.2，P，118） FLASH 主要优点 非易失 高密度 单晶体管存储元 可写性 * 小 结 ROM主要由与门—或门”二级电路组成。与阵列不可编程，或门可编程。 组合逻辑函数可写为标准与或表达式．可用PROM实现．但PROM只能实现函数的标准与或表达式。 PROM能制作数码转换器、函数转换表、字符显示电路等。 PROM的编程:按字线编程，按位线编程。 课堂 练习 写出电路逻辑表达 式 如图2-2：1）描述存储器2716的容量。2）用2716组成8K×16的存储器需要几片？ C. 用PLA实现 D. 用ROM实 * 第四章 作 业 4,6,10 补充题 : 总结三种特殊存储部件的特点 * 练 习 题 * 《数字逻辑与数字系统》 余 文 北京邮电大学计算机科学与技术学院 * 4.3 只读存储器 ROM的特点和性能指标 ROM的分类 ROM的结构与工作原理 ROM的应用 * ROM的特点和性能指标 ROM 只能读出 工作时，将地址加到ROM地址输入端，便可在数据输出端得到一个事先存入的数据。??? 优点: 不易失性. 断电后，存储数据不会丢失.可长久保存.常存放固定数据、程序和函数表。 缺点: 不能重写或改写。 最初存入数据的过程，称为对ROM进行编程. * ROM的性能指标 存储容量和存取时间 存储容量 存储器存放信息的能力，存储容量越大，所能存储的信息越多，功能越强。 存取时间 存取时间指一个读(或写)周期。读(或写)周期越短，存取时间越短，存储器工作速度越高。 * ROM的分类 根据编程方式，分为固定ROM、一次编程ROM、多次改写编程ROM和闪速存储器四类。 固定ROM?? ?掩模式只读存储器, 数据在芯片制造过程“固化”在ROM中，使用时读出，不能改写。 通常存放固定数据、程序和函数表等。可向厂家定做。固定ROM可靠性好，集成度高,适宜大批量生产。 一次编程只读存储器（PROM） ?? 出厂时所有存储元全0或全1，用户可自行改1或0。用熔丝烧断或PN结击穿法编程，烧断或PN击穿不能恢复, 一次性编程.编程完毕内容永久保存.已少使用。 * ROM的分类 可多次编程的只读存储器 ?? ? 光擦可编程只读存储器EPROM 电擦可编程只读存储器E2PROM 电改写只读存储器EAROM ??? 可用紫外光照射或加电法擦除已写入的数据，用电方法可重新写入新的数据。可多次改写内容。 闪速存储器（FLASH) ?? ? 英特尔上世纪90年代发明的一种高密度、非易失性的可读/写存储器,既有EEPROM的特点，又有RAM的特点，无须编程器. * ROM的结构与工作原理 组成:由存储矩阵、地址译码器、输出缓冲电路组成。 ????? 存储矩阵:存储单元组成。存储单元中存储元个数为字长。 地址译码器:地址码到存储单元的映射.每个地址使一条 字线有效，该单元信息将送至输出缓冲器读出。 输出缓冲器：读出电路，数据输出线D01—Dm-1 又称位线 * 一次编程只读存储器的结构 地址译码器和存储矩阵分别由与门和或门阵列组成. 与门阵列和或门阵列可用二极管构成(如图)。 地址线: A1、A0; 字线(W0--W3);与门阵列的输出. 位线(数据线):D3--D0;或门阵列的输出. 存储容量:存储单元数乘位数（字数乘位数）。 图例：存储容量为4x4(位) * 二极管ROM模型 地址译码--与阵列: