MCUChipLevelESDDesignandTest_0.0.1题稿.pptx

IC ESD Design and Test Author: John.li Date: 2014/02/19 Version: 0.0.1 1 Description ESD介绍及测试方法介绍 ESD protect设计 ESD plan ESD 测试pattern规划 ESD FT测试 ESD FT测试后判断及后续相关工作 Process 对ESD的影响 IC ESD Design and Test 2 题目为MCU Chip Level ESD design and test，只是介绍IC的ESD的设计和测试。不是系统级(PCB+IC) 或者 工厂级(工厂环境下的ESD防护). 目前只做过MCU产品，对于多媒体产品可能有一些其它的防护，不做讨论. Description 3 因ESD产生的原因及其对集成电路放电的方式不同，经过统计，ESD放电模型分下列四类: (1) 人体放电模式 (Human-Body Model, HBM) (2) 机器放电模式 (Machine Model, MM) (3) 组件充电模式 (Charged-Device Model, CDM) (4) 电场感应模式 (Field-Induced Model, FIM) 如果是消费类电子产品，HBM和MM是必测的。对于CDM是可选的。 对于FIM，应该是不需要。 后面只对HBM和MM进行讲解。 ESD简单介绍 4 人体放电模式 (Human-Body Model, HBM) 5 人体放电模式(HBM)的ESD是指因人体在地上走动磨擦或其它因素在人体上已累积了静电，当此人去碰触到IC时，人体上的静电便会经由IC的脚(pin)而进入IC内，再经由IC放电到地去，如图1所示。此放电的过程会在短到几百纳秒(ns)的时 间内产生数安培的瞬间放电电流，此电流会把IC内的组件 给烧毁。 不同HBM静电电压相对产生的瞬间放电电流与时间的关系 显示于图2。对一般商用IC的2-KV ESD放电电压而言，其瞬间放电电流的尖峰值大约是1.33 安培。 HBM 测试 6 有关于HBM的ESD已有工业测试的标准： 图显示工业标准 (MIL-STD-883C method 3015.7)的等效电路图，其中人体的 等效电容定为100pF，人体的等效放电电阻定为1.5KΩ。 表是国际电子工业标准(EIA/JEDEC STANDARD) 对人体放电模式订定测试规范(EIA/JESD22-A114-A) 机器放电模式 (Machine Model, MM) 7 机器放电模式的ESD是指机器(例如机械手臂)本身累积了静电，当此机器去碰触到IC时，该静电便经由IC的pin放电。因为机器是金属，其等效电阻为0Ω，其等效电容为200pF。由于机器放电模式的等效电阻为0，故其放电的过程更短，在几纳秒到几十纳秒之内会有数安培的瞬间放电电流产生。 此机器放电模式工业测试标准为 EIAJ-IC-121 method20，其等效电路图和等级如下： 对于机器放电，应该在wafer级测试上，就有可能遇到. 在die saw，或者pakage时，应该也会遇到 另外在IC到客户的工厂里，也有可能遇到。 之前公司的芯片ESD测试结果看来，MM比HBM更worse。 所以MM对于芯片应该是必测项，这是芯片品质的保证，良率的保证。 机器放电模式 (Machine Model, MM) 8 HBM, MM与CDM模型参数比较 9 HBM, MM与CDM比较 10 ESD对集成电路的损坏形式 11 MOS电路输入端保护电路的二极管出现反向漏电流增大 输入端MOS管发生栅穿 MOS电路输入保护电路中的保护电阻或接触孔发生烧毁 引起ROM电路或PAL电路中的熔断丝熔断 集成电路内部的MOS电容器发生栅穿 运算放大器输入端(对管)小电流放大系数减小 集成电路内部的精密电阻的阻值发生漂移 与pad相连的bonding线被熔断 引起多层布线间的介质击穿（例如：输入端metal与n+的介质击穿） ESD损伤机理 12 电压型损伤 栅氧化层击穿（MOS电路输入端、MOS电容） 气体电弧放电引起的损坏（芯片上bonding根部、metal的最窄间距处、IO的梳状电极条间） 输入端poly电阻与metal间的介质击穿 输入/输出端n+扩区与metal间的介质击穿。 电流型损伤 PN结短路（MOS电路输入端保护二极管、线性电路输入端保护网络） metal和poly在大电流作用下的损伤（主要在poly拐弯处和poly与metal的接触孔） poly电阻和implant电阻的阻值漂移（主要是高精度运放和A/D、D/A电路） HBM和MM测试方法 13 HBM和MM测试方法 14 静电的累积可能是正的或负的电荷，因此静电放电测试对同一IC