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材料化学 材料制备化学 例如,四溴化钛是挥发性的,将气态TiBr4与氢气混合,混合气体加热到1300℃,让其通过基质表面。加热陶瓷基质材料如氧化硅或氧化铝,金属卤化物与氢气发生反应形成金属钛的薄膜: TiBr4(g) + H2(g) → Ti(s) + 4HBr(g) 类似的,也可以通过氢气存在下SiCl4在1100-1200℃时的分解形成硅薄膜: SiCl4(g) + H2(g) →Si(s) + 4HCl(g) 氧化硅薄膜是通过H2和CO2存在下于600-900℃热解SiCl4而制得的: SiCl4(g) + H2(g) + CO2 →SiO2(s) + 4HCl(g) +2CO(g) 氮化硅Si3N4薄膜可以通过硅烷SiH4与氨NH3在900-1100℃反应制得: 3SiH4(g) + 4NH3(g) →Si3N4 (s) +12H2(g) 材料化学 材料制备化学 优点:(1)能制备几乎任何几何形态的固体材料 (2)产物的形成不受动力学因素和扩散的 制约,可以在相对低的温度条件下进 行固体合成 (3)产物的均匀程度和化学计量容易控制 (4)能实现掺杂剂浓度的控制 适用范围: 多晶材料制备,无定形材料制备 单晶薄膜的生长 * * 材料化学 材料制备化学 化学合成与材料制备 晶体材料的制备 微晶颗粒和团簇的制备 无定型材料的制备 晶体生长 聚合物材料的制备 材料化学 材料制备化学 1. 化学合成与材料制备 材料制备不是通常所说的化学合成或化学制备,是一个极其复杂的化学和物理的综合变化过程。 材料制备是一项横跨化学学科和物理学科的制备技术。 材料化学 材料制备化学 材料制备按目的分类 (1)制备一系列材料以研究材料的特殊性能 (2)制备一系列结构相关的材料以研究材料 的结构与性能之间关系 (3)制备一系列新种类的材料 (4)制备一系列特殊规格的材料 材料化学 材料制备化学 2. 晶体材料的制备 2.1 陶瓷法 2.2 化学法 2.3 化学气相沉积法 2.4 其他方法 材料化学 材料制备化学 2.1 陶瓷法 ? 经典方法(固态反应法) 恒温条件利用固体化合物反应制备材料。 ? 多晶形固体制备法(固态形式直接反应法) 晶体物质互相混合,通过接触的界面发生离 子的自扩散和互扩散,或原有化学键的断裂和新 化学键的形成及新物相的生成,晶体结构产生变 化,这种变化向固体原料内部或深度扩散,导致 了一种新多晶材料的生成。 材料化学 材料制备化学 陶瓷法制备多晶材料的条件——高温 ? 从热力学角度:吉布斯自由能变化判断 ? 从动力学角度:决定反应进行的速度 设备:电弧炉,3000℃ CO2激光设备,4000℃ 材料化学 材料制备化学 例:以1:1摩尔比MgO和Al2O3的混合物反应生成 尖晶石讨论固体反应过程的影响因素。 热力学和结构因素评价 从热力学上看,MgO和Al2O3的混合物反应生成尖晶石的反应: MgO(s) + Al2O3(s) → MgAl2O4(s) 的自由能允许反应正向自发进行。但固相反应实际上是反应物晶体结构发生变化的过程。尖晶石MgAl2O4 和反应物MgO、Al2O3的晶体结构有其相似性和差异性。 材料化学 材料制备化学 ?尖晶石MgAl2O4 和反应物MgO结构中,氧负离 子均作面心立方密堆排列; ?Al2O3的晶体结构中,氧负离子呈畸变的六方密 堆排列; ?阳离子Al3+在Al2O3和尖晶石MgAl2O4 中占据氧 负离子的八面体空隙; ?Mg2+在MgAl2O4 结构中占据氧负离子四面体配 位,而在MgO结构中却占据氧负离子八面体配位 孔隙。 材料化学 材料制备化学 图 (a) MgO和Al2O3单晶反应时相互紧密
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