半导体器件原理绪论题稿.ppt

半导体器件原理Principles of Semiconductor Devices;参考书目;课程简介;教学目的和要求;一、半导体器件的分类;二. 本课程的任务;三. 本课程与其它课程的关系;;课程性质：专业必修 学分：3 课程特点：微观物理过程多 成绩评定方法： 期末考试70％ 平时成绩30％ ;绪论：半导体物理基础;§1.1 半导体材料;绝缘体、半导体和导体电导率的典型范围;半导体的基本特性;周期表中与半导体有关的部分;硅、锗都是由单一原子所组成的元素半导体，均为周期表第IV族元素。;元素与化合物半导体;半导体材料的制备;半导体材料的形态：按照构成固体的粒子在空间的排列情况;晶体结构----单晶半导体材料;晶体结构与原子结合的形式有关 晶体结合的基本形式：共价结合、离子结合、金属结合、范德瓦耳斯结合 半导体的晶体结构：主要有 金刚石结构（ Ge、Si） 闪锌矿结构（GaAs等III-V族和CdTe等II-VI族化合物） 纤锌矿结构（部分III-V族和II-VI族化合物) ;晶体结构;晶体结构;一些半导体材料的晶体结构和晶格常数; 一些半导体材料的晶体结构和晶格常数;晶列指数和晶面指数;晶体的晶面用晶面指数（密勒指数）表示：该晶面与坐标轴截距的倒数可以化为互质整数。; §1.3 半导体的能带;晶体中电子的共有化运动; 半导体晶体中的电子的能量既不像自由电子那样连续，也不象孤立原子那样是一个个分立的能级，而是形成能带，每一带内包含了大量的，能量很近的能级。;价带：0 K 条件下被电子填充的能量最高的能带 导带：0 K 条件下未被电子填充的能量最低的能带 禁带：导带底与价带顶之间能带 带隙：导带底与价带顶之间的能量差;能带结构与导电特性; 金属、半导体及绝缘体的电导率存在巨大差异，这种差异可用它们的能带来作定性解释。人们发现，电子在最高能带或最高两能带的占有率决定此固体的导电性。 ;金属、半导体和绝缘体的能带;§1.4 半导体中的载流子;半导体的共价键结构;电子空穴对; 可见因热激发而出现的自由电子和空穴是同时成对出现的，称为电子空穴对。游离的部分自由电子也可能回到空穴中去，称为复合，如图所示。; 空穴的移动;1、半导体的杂质和缺陷 杂质：在半导体晶体中引入的新的原子或离子 缺陷：晶体按周期性排列的结构受到破坏 ;室温下半导体的导电性主要由掺入半导体中的微量的杂质（简称掺杂）来决定，这是半导体能够制造各种器件的重要原因。;掺杂： 为控制半导体的性质，人为掺入杂质的工艺过程 掺杂杂质一般为替位式杂质 扩散和注入是典型的掺杂工艺 杂质浓度是掺杂的重要因子：单位体积中杂质原子数 ;?替位式杂质：取代本体原子位置，处于晶格点上；这类杂质原子价电子壳层结构接近本体原子，如Ⅲ、Ⅴ族在Si、Ge(Ⅵ族)中的情况；Ⅱ、Ⅵ族在Ⅲ－Ⅴ化合物中。;本征半导体：化学成分纯净的半导体晶体;本征半导体：没有掺入杂质的纯净半导体 本征半导体的能带结构：禁带中无载流子可占据的能级状态 本征载流子浓度：电子和空穴浓度相同n=p ;杂质半导体; (1）N型半导体;(2) P型半导体;施主：掺入到半导体中的杂质原子，能够向半导体中提供导电的电子，并成为带正电的离子。如Si中掺入五价的P 和As. As：V族，其中的四个价电子与Si形成共价键，但多出一个电子只需要很低的能量便能该电子电离进入导带，形成导电电子和带正电的电离施主。 受主：掺入到半导体中的杂质原子，能够向半导体中提供导电的空穴，并成为带负电的离子。如Si中掺入三价的B. B：III族，只有三个价电子，与Si形成共价键，并出现一个空位，只需要很低的能量便能使价带中的电子填补空位，并形成价带空穴和带负电的电离受主。;施主和施主能级 由于施主杂质的掺入而在半导体带隙中新引入的电子能级 ;电离：施主向导带释放电子的过程。未电离前，施主能级是被电子占据的,电离后导带有电子，施主本身带正电。 ;受主和受主能级 由于受主杂质掺入而在半导体带隙中新引入的电子能级，该能级未占据电子，是空的，容易从价带获得电子。 ;受主电离和电离能;施主杂质与受主杂质比较;　杂质的补偿原理----pn结实现原理;结论：;4、杂质对半导体导电性的影响;A:0k, B:300k, C:1000k, D:1500k;费米能级能够画在能级图上，表明它和量子态的能级一样，描述的是一个能量的高低。但是，它和量子能级不同，它并不代表电子的量子态，而只是反映电子填充能带情况的一个参数。从图看到，从重掺杂p型到重掺杂N型，费米能级越来越高，填进能带的电子越来越多。 不管费米能级的具体位置如何，对于任一给定的半导体材料，在给定温度下的电子、空穴浓度的乘积总是恒定的。; 对于p型半导体