半导体制造工艺_05光刻(下)题稿.ppt

2、Reducing resolution factor k1 Minimum feature size 电子束图形曝光 电子束抗蚀剂 邻近效应 X射线图形曝光（XRL） 离子束图形曝光 不同图形曝光方法的比较 电子束抗蚀剂是一种聚合物，其性质与一般光学用抗蚀剂类似。换言之，通过光照造成抗蚀剂产生化学或物理变化，这种变化可使抗蚀剂产生图案。 PMMA和PBS 分辨率可达0.1 微米或更好 COP 分辨率可达1 微米左右 在光学图形曝光中，分辨率的好坏是由衍射来决定的。在电子束图形曝光中，分辨率好坏是由电子散射决定的。当电子穿过抗蚀剂与下层的基材时，这些电子将经历碰撞而造成能量损失与路径的改变。因此入射电子在行进中会散开，直到能量完全损失或是因背散射而离开为止。 100个能量为20keV的电子 在PMMA中的运动轨迹模拟 在抗蚀剂与衬底界面间，正向散射 与背散射的剂量分布 XRL图形曝光极有潜力继承光学图形曝光来制作100nm的集成电路。当利用同步辐射光储存环进行批量生产时，一般选择X射线源。它提供一个大的聚光通量，且可轻易容纳10-20台光刻机。 XRL是利用类似光学遮蔽接近式曝光的一种遮蔽式曝光。 掩模版为XRL系统中最困难且关键的部分，而且X射线掩模版的制作比光学掩模版来得复杂。为了避免X射线在光源与掩模版间被吸收，通常曝光都在氦的环境下完成。 可以利用电子束抗蚀剂来作为X射线抗蚀剂，因为当X射线被原子吸收，原子会进入激发态而射出电子。激发态原子回到基态时，会释放出X射线，此X射线被原子吸收，故此过程一直持续进行。所有这些过程都会造成电子射出，所以抗蚀剂在X射线照射下，就相当于被大量的二次电子照射。 X射线图形曝光的几何效应 离子束图形曝光比光学、X射线与电子束图形曝光技术有更高的分辨率，因为离子有较高的质量而且比电子有较小的散射。最主要的应用为修补光学图形曝光用的掩模版。下图为60keV的50个氢离子注入PMMA及不同衬底中的电脑模拟轨迹。 半导体制备工艺基础 第四章 光刻原理 (下) 光刻胶的一些问题 1、由于硅片表面高低起伏，可能造成曝光不足或过曝光。 线条宽度改变！ 2、下层反射造成驻波，下层散射降低图像分辨率。 DUV胶—ARC g线和i线胶—使用添加剂，吸光并降低反射，曝光后显影前的烘烤也有利于缓解其驻波现象。 驻波对于光刻图形的影响 光刻步骤简述 前烘 对准及曝光 坚膜 曝光后烘 光刻步骤详述 硅片增粘处理 高温烘培 增粘剂处理 ：六甲基二硅胺烷（HMDS） 匀胶机 涂胶：3000～6000 rpm，0.5~1 mm 前烘：10～30 min，90～100 ?C 热板 去除光刻胶中的溶剂，改善胶与衬底的粘附性，增加抗蚀性，防止显影时浮胶和钻蚀。 硅片对准，曝光 每个视场对准 曝光强度150 mJ/cm2 曝光后烘烤（PEB）：10 min，100 ?C 显影：30～60 s 浸泡显影或喷雾显影 干法显影 Alignment mark Previous pattern 坚膜：10～30 min，100～140 ?C 去除残余溶剂、显影时胶膜所吸收的显影液和残留水分，改善光刻胶的粘附性和抗蚀能力 显影检查：缺陷、玷污、关键尺寸、对准精度等，不合格则去胶返工。 Stepper Scan System Canon FPA-4000ES1: 248 nm, 8”wafer×80/hr, field view: 25 mm×33 mm, alignment: ?70 nm, NA: 0.63, OAI 透镜成本下降、性能提升 视场大 尺寸控制更好 变形小 图形转移——刻蚀 图形转移——剥离（lift-off） 去胶 溶剂去胶 （strip）：Piranha (H2SO4:H2O2)。 正胶：丙酮 氧化去胶 450 ?C O2+胶?CO2?+H2O? 等离子去胶（Oxygen plasma ashing） 高频电场 O2?电离O－＋O＋ O＋活性基与胶反应 CO2?， CO ?，H2O?。 干法去胶（Ash) 光源 NGL: X射线(5?)，电子束(0.62?)，离子束(0.12 ?) CaF2 lenses VUV 157 F2 (激光) Reflective mirrors EUV 13.5 激光激发Xe等离子体 90/65…32nm 193DUV 193 ArF (激光) 0.25/0.13mm DUV 248 KrF(激光) 0.5/0.35mm i线 365 汞灯 0.5mm g线 436 汞灯 技术节点 术语 波长?(nm) 光源 1、Using light source with shorter l 提高分辨率的方法 248 nm 157 nm 13.5 nm 1