5-压电陶瓷教案.ppt

材料科学与工程学院 周焕福 各种压电材料的优缺点 压电单晶 优点：Q值较大，有良好的温度特性。 缺点：制程困难。 陶瓷压电材料 优点：抗酸碱，机电耦合系数高，易制程任意形状。 缺点：温度系数大，需高压极化处理(kV/mm)。 高分子压电材料 优点：低声学阻抗特性，柔软可做极薄的组件。 缺点：压电参数小，需极高的极化电场(MV/mm) 应用举例： 水声技术：水声换能器 超声技术：超声清洗、超声乳化、超声分散 高电压发生装置：压电点火器、引燃引爆、压电变压器 电声设备：麦克风、扬声器、压电耳机 传感器：压电地震仪 压电驱动器 压电陶瓷的晶体结构： 1. 钙钛矿结构 2. 钨青铜型结构 3. 铌酸锂型结构 4. 铋层状结构 1. 钙钛矿结构 2. 钨青铜型结构 3. 铌酸锂型结构 4. 铋层状结构 §7-2 透明电光陶瓷 1. 什么叫透明陶瓷？ 2. 铁电陶瓷的电光特性 3. 常用电光陶瓷材料 4. 电光陶瓷工艺与要求 1. 什么叫透明陶瓷？ 具有多晶结构，但不是多相的陶瓷，并且具有特殊的晶界，有相当高的透明度，故称为透明陶瓷。（基本无气相，瓷体密度接近或达到理论值，且经过表面研磨，抛光）具有一定的光学性能（粒界为一层极其紧凑的，相当薄的过渡层），介于单晶与多晶之间的材料。 若透明的铁电陶瓷通过电场作用就可改变其光学性能，称为透明电光陶瓷。 2. 铁电陶瓷的电光特性 光线在介质中的传播速度是与介质的ε的平方根成反比。而铁电体中ε的大小可以通过外电场强度的控制来达到改变－→改变介质的折射率。 设外加偏置电场为E0，折射率为n 由外电场引起晶体折射率的变化，称为电光效应。 从本质上讲，透明陶瓷的电畴状态决定光学性质，而电畴状态又受控于电场，所以其光学性质是“电控 ”的，存在三种效应：电控双折射，电控光散射，电控表面形变。 1) 电控双折射 细晶陶瓷（≤2μm，电畴尺寸较小，故畴壁对光的散射作用很弱，主要为双折射效应。 外电场改变→Pr改变（Pr方向为光轴，PLZT极化后有统一的光轴）→双折射的变化→产生干涉现象。因此，通过控制电场的变化，借助于一定的装置，可使单色光产生从透过量最大到完全截止（消光）的变化。 可制成电控光阀，电控光谱滤色器。 2) 电控光散射 粗晶陶瓷（＞2～3μm），电畴尺寸大，畴壁对于横向（和畴壁切线相交的方向，不一定为畴壁的法向方向）入射光，将产生明显的散射作用，因而使透过光消偏振，掩盖了双折射效应。故外电场改变→电畴取向改变→控制光散射变化→光透过率变化。 可制成电控光阀，图像储存和显示器件。 3)?电控表面形变 与晶粒大小无关。 改变外电场→Pr的变化→表面处凹凸形变（电畴的局部反转→结晶轴向的局部改变）→电控表面形变。 可制成图像储存，记忆等器件。 P131 表5-11 PLZT瓷已达到商品化水平。 镧（La）在PZT中的固溶限较高，故PLZT可制成系列电光性能不同的透明陶瓷。 1) 具有很高的致密度，体积密度大于99%理论密度。（气孔是光散射中心） 2) 化学组成均匀。（否则介电系数波动过大，导致光波的传播速度、折射率变化大） 3) 表面具有足够的光洁度（否则表面反射）。 制备工艺要求： 1) 液相化学共沉法制PLZT（高纯、超细、化学计量比准确、化学组成均匀）； 2) 热压烧法（通氧热压烧结→高致密度，热等静压烧结）； 表面研磨→足够的光洁度。 由于第三相的出现，使可供选择的组成范围更为宽广，在PTZ中难以获得的高参数或难以兼顾的几种性能均可以较大程度地满足。 以Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3-PbZrO3系为例，三者能完全固溶，且具有三种晶型。富Zr区为三方铁电体FR，富Ti区为四方铁电体FT，富Nb、Mg区为假立方铁电体FPC。随着Pb(Mg1/3Nb2/3)O3固溶量的增加，在室温下将出现两条准同形相界。实验发现，当成分在准同形相界附近时都具有特别突出的压电性能。因此在PTZ系列中只有当Zr：Ti=53：47时的“一个点”附近可供选择。而在PCM系列中当Zr：Ti=44~54整根准同形相界附近，都具有这种由于相重叠而引起的突出压电性能，KP、ε特性出现不连续的成分比。 5.2.3三元系铅基压电陶瓷 1. BaTiO3基 2. Bi0.5Na0.5TiO3基 3. 铌酸盐系 4. 铋层状结构 5.2.4 无铅压电陶瓷 压电陶瓷具有较大的机电耦合系数、转换效率高、形状和尺寸不受限制，工艺简单，成本低廉。 声表面波器件对压电陶瓷的要求： 高致密度、小的气孔直径、小晶