SF6高压开关学习-第二章教案.ppt

内容 电负性气体中的气体放电 电负性气体中的气体放电 电负性气体中的气体放电 电负性气体中的气体放电 电负性气体中的气体放电 电负性气体中的气体放电 电负性气体中的气体放电 电负性气体中的气体放电 电负性气体中的气体放电 电负性气体中的气体放电 电负性气体中的气体放电 电负性气体中的气体放电 电场不均匀系数 电场不均匀系数 均匀电场中的击穿 均匀电场中的击穿 稍不均匀电场中的击穿 稍不均匀电场中的击穿 稍不均匀电场中的击穿 稍不均匀电场中的击穿 极不均匀电场中的放电 极不均匀电场中的放电 冲击击穿特性 冲击击穿特性 练习 Xi’an Jiaotong University -*- Copyright ? 2007 Xi’an Jiaotong University 西安交通大学 高电压技术教研室 丁卫东 GIS装置及其绝缘技术 《GIS装置及其绝缘技术》 2007年10月1日 第二章 SF6气体的电气性能 电负性气体中的气体放电 电场不均匀系数 均匀电场中的击穿 稍不均匀电场中的击穿 极不均匀电场中的放电 冲击击穿特性 气体放电过程： 起始于气体中带电粒子的生成，随着带电粒子的大量生成，气体由绝缘体向导体转化，形成放电等离子体，并伴随着一系列复杂的物理或化学过程。 SF6是强电负性气体 对均匀间隙，当p=0.1 MPa时，SF6气体的击穿电场约为89 kV/cm；而空气的击穿电场约为30 kV/cm。所以通常说SF6气体的绝缘强度大约是空气的3倍。 电负性气体中的气体放电 绝缘体 电子、正离子、负离子 光子 等离子体 （导体） 气体中电子和正离子产生的途径： 碰撞电离 光电离 热电离 ③热电离： 气体分子之间的碰撞引起的电离 高温气体的热辐射引起的光电离 高能电子引起的碰撞电离 ①碰撞电离 ②光电离 气体中负离子形成的途径： 附着---在某些气体中，原子或者分子容易附着(Attachment)电子而形成负离子。负离子的形成，有利于减少气体中的电子密度，从而抑制放电的发展，提高气体的击穿强度。 解离 附着的形式： ①附着 ②解离附着 ③三体碰撞 SF6气体分子含有F原子，其分子俘获电子的能力很强，属强电负性气体，因而具有很高的耐电强度 SF6气体耐电强度很高，但是对电场集中敏感。附着断面积(电子能量大时附着断面积急剧减小) 在放电过程中，通常电极也起着重要作用 热发射 如果将金属加热，能量超过金属表面势垒的电子将迅速增加。 光电发射 如果用光源照射金属电极，当光子能量足够大时，电子由被照射的电极表面释放出来，称为光电子。 场致发射 由于外电场的存在，改变了金属的表面势垒，使得表面势垒变”低”,变”薄” 。这时有部分电子穿过势垒而脱离金属表面。 二次电子发射 当正离子碰撞阴极被中和时，可能会由阴极发出电子到气体中，这种电子通常称为?电子或二次电子。 气体放电理论 汤逊放电理论 流注放电理论 电子崩 初始 电子 E 电离系数?(产生)： 一个电子沿电场方向行经单位长度，平均发生的碰撞电离次数。 附着系数? (消失) ： 一个电子沿电场方向行经单位长度，平均发生的附着次数。 有效电离系数： 电子增殖规律： 有效电离系数的测量表明，在(E/p)0附近： 正离子增殖规律(假设一个电子从x=0出发)： 电子 汤逊放电理论(适用于pd值较小的情况) 电子崩＋二次电子发射 汤逊放电判据 对均匀电场： 要使放电达到自持 因此 流注放电理论(适用于pd值较小的情况) 电子崩＋光电离 流注放电判据 对均匀电场： 要使放电达到自持 对不均匀电场： 阴影部分的积分面积大于K/c 气体优异值 反映了气体在不均匀场中的优越程度 电场不均匀系数f Emax是电场中的最大场强 Ea是电场中的平均场强 通常 f ≈ 1 均匀场 f 2 稍不均匀场 f 4 极不均匀场 GIS中的典型电场： 同轴圆柱电极 同心球电极 几种典型电场的不均匀系数： 同轴圆柱电极 同心球电极： 球－板电极： 半球头－板电极(d/r3)： 巴申定律： 在气压不太高的情况下，大部分气体在均匀电场中的击穿电压符合巴申曲线，即击穿电压只是pd乘积而与p和d的数值无关。实验表明，SF6气体在p?0.2 MPa时遵循巴申曲线。 p?0.2MPa时，遵循巴申曲线，气压增大时，渐渐出现击穿电压偏离巴申曲线的现象。 击穿电压的近似表达式： (直流或交流的峰值) 冲击系数： 50%冲击击穿电压约为稳态击穿电压的1.2倍 冲击系数= 50 %冲击击穿电压 持续作用电压下的击穿电压 不均匀电场中的自持放电电压U0与间隙距离d的关系： Emax：满足流注放电判据时，曲率半径较小的电极的表面场强 f: 电场不均匀系数 曲率系数： 自持放电电压U0 同心球电极 GIS典型电极的曲率系数： 同轴圆柱电极