动态RAM和多体交叉存储器.pptVIP

§ 7· 1 存储器的概述 一、存储器的分类 § 7· 2 半导体存储器 一、概述 1、半导体存储器芯片的组成 三、动态RAM 1、动态RAM的基本单元电路 3、刷新方法 动态RAM必须采用定时刷新，即在规定的时间里对全部存储单 元电路作一次刷新，一般刷新时间为2毫秒。在刷新周期内由专用 的刷新电路来完成对基本单元电路的逐行刷新。 （1）集中刷新 在刷新周期内对全部存储单元集中一段时间逐行进行刷新， 此时必须停止读/写操作。 例：动态RAM芯片内32×32矩阵，读写周期为0.5μs，连续刷新 32行需16 μs占32个读/写周期。在刷新周期2ms内含4000个读/写 周期，实际在前3968个周期用于读/写操作或维持，后32个周期用 于刷新。 特点：访存出现32/4000即8%的死区。 （2）分散方式 分散刷新是将对每行存储单元的刷新分散到每个读/写周期内 完成。将存取周期分成两段，一段用于读/写或维持，另一段用来刷 新。 特点：虽然克服了死区的现象，但使机器的存取周期由0.5μs变成 1μs，使整机的工作效率下降。 （3）集中与分散结合方式（异步） 先用要刷新的行数对2ms进行分割，再将每行的时间分为两 段，前段用于读/写或保持，后段时间即0.5μs用于刷新。 特点