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LED的生产工艺流程及设备 黄健全 2007.3 主要内容 LED生产工艺流程； LED衬底材料制作； LED外延制作； Led生产工艺流程 1、所用硅衬底在放入反应室前进行清洗。先用H2SO4∶H2O2 (3∶1) 溶液煮10min 左右,再用2%HF溶液腐蚀5min 左右,接着用去离子水清洗,然后用N2吹干。 2、衬底进入反应室后在H2气氛中于高温进行处理,以去除硅衬底表面氧化物。 3、然后温度降至800℃左右,生长厚约100埃的AlN缓冲层。 4、接着把温度升至1050℃生长200nm 偏离化学计量比(富镓生长条件)的GaN高温缓冲层。 5、再生长0.4μm厚未掺杂的GaN。 6、接着生长2μm厚掺Si的n型GaN,接下来在740℃生长5个周期的InGaN多量子阱有源层。 7、以及在990 ℃生长200nm 的p 型GaN。 Led生产工艺流程 8、生长结束后， 样品置于N2中于760℃进行退火, 9、然后再对样品进行光刻和ICP刻蚀。Ni/Au和Ti/Al/ Ni/ Au分别用作p型GaN和n型GaN 的欧姆接触电极。 LED生产工艺流程 LED生产工艺流程 LED生产工艺流程 LED生产工艺流程 LED生产工艺流程 LED衬底材料制作 硅的纯化 长晶 切片 晶边磨圆 晶面研磨 晶片蚀刻 退火 晶片抛光 晶片清洗 检验/包装 LED衬底材料制作--硅的纯化 硅石(Silica)焦炭、煤及木屑等原料混合置于石墨沉浸的加热还原炉中，并用1500-2000℃的高温加热，将氧化硅还原成硅，此时硅的纯度约为98％左右，在纯度上达不到芯片制作的要求，要进一步纯化： 1）盐酸化：将冶金级的多晶硅置于沸腾的反应器中，通往盐酸气以形成三氯化硅； 2）蒸馏：将上一步的低沸点产物（TCS）置于蒸馏塔中，将其他不纯物用部分蒸馏去除。 3）分解：将已蒸馏纯化的TCS置于化学气相沉淀（CVD）反应炉中，与氢气还原反应而析出于炉中电极上，再将析出的固态硅击碎成块状多晶硅。 LED衬底材料制作 LED衬底材料制作--长晶 经过纯化得到的电子级硅虽然纯度很高，可达 99.9999 99999%，但是结晶方式杂乱，又称为多晶硅，必需重排成单晶结构，因此将电子级硅置入坩埚内加温融化，先将温度降低至一设定点，再以一块单晶硅为晶种，置入坩埚内，让融化的硅沾附在晶种上，再将晶种以边拉边旋转方式抽离坩埚，而沾附在晶种上的硅亦随之冷凝，形成与晶种相同排列的结晶。随着晶种的旋转上升，沾附的硅愈多，并且被拉引成表面粗糙的圆柱状结晶棒。拉引及旋转的速度愈慢则沾附的硅结晶时间愈久，结晶棒的直径愈大，反之则愈小。 LED衬底材料制作长晶过程注意事项 LED衬底材料制作--切片 切片是晶片成形的第一个步骤，也是相当关键的一个步骤。它决定了晶片的几个重要规格： 晶面的结晶方向、晶片的厚度、晶面斜度与曲度。 1）晶棒固定 2）结晶定位 LED衬底材料制作晶边磨圆 晶边磨圆主要有以下几个目的： 1）防止晶片边缘碎裂 2）防止热应力集中 3）增加外延层、光刻胶层在晶片边缘的平坦度 LED衬底材料制作--研磨和蚀刻 晶面研磨 通以特定粒度及粘性的研磨液，加外研磨盘的公转和自转，达到均匀磨平晶片切片时留下的锯痕、损伤等不均匀表面。 晶片蚀刻 蚀刻的目的在于除去先前各步机械加工所造成的损伤，同时获得干净且光亮的表面，刻蚀化学作用可区分为酸性及碱性反应。 LED衬底材料制作--退火与抛光 退火 将晶片置于炉管中施以惰性气体加热30分钟至一小时，再在空气中快速冷却，可以将所有氧杂质限制作，这样晶片的电性（阻值）仅由载流子杂质来控制，从而稳定电阻。 晶片抛光 可分为边缘抛光与晶片表面抛光。 LED衬底材料制作--清洗、检验和包装 晶片清洗 用RCA溶液（双氧水＋氨水或又氧水＋盐酸），将前面工序所形成的污染去除。 检验（INSPECTION）： 芯片在无尘环境中进行严格的检查，包含表面的洁净度、平坦度以及各项规格以确保品质符合顾客的要求。 包装（PACKING） 通过检验的芯片以特殊设计的容器包装，使芯片维持无尘及洁净的状态，该容器并确保芯片固定于其中，以预防搬运过程中发生的振动使芯片受损 LED外延制作 在单晶衬底上生长一薄层单晶工艺，称为外延； 长有外延层的晶体片称为外延片； 正向外延、反向外延； 同质外延、异质外延 ； 外延材料是LED的核心部分。事实上；LED的波长、亮度、正向电压等主要光电参数基本上取决于外延材料。 LED外延制作 禁带宽度适合 可获得电导率高的P型和N型材料 可获得完整性好的优质晶体 发光复合几率大 LED外延制作 外延技术