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加速坩埚旋转下降技术生长LiInS2晶体.pdf

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! 第 # 卷 第 $ 期! ! ! ! ! ! ! ! ! 人 ! 工 ! 晶 ! 体 ! 学 ! 报! ! ! ! ! ! ! ! %’( #! )( $ ! *++, 年 * 月! ! ! ! ! ! ! ! ! -./0)12 .3 45)67869: :0546124 ! ! ! ! ! ! ! ! 3;=?=@,*++, ! 加速坩埚旋转下降技术生长 !#$% 晶体 王善朋,陶绪堂,董春明,焦正波,蒋民华 (山东大学晶体材料国家重点实验室,济南 *A+$++) 摘要:本论文采用新的合成方法—高压釜法,利用高纯单质 2B())、9C(D))、4( E’BF;G)为原料,在 $$*+H下合 成了单相、致密的 2B9C4 * 多晶料,并对其做了 I0J 表征。对传统的 K=BGLF?CM4NOP?=L;= 生长技术进行了改进,实 现了加速坩埚旋转下降技术(1:06),从而获得了较大尺寸的红外非线性光学晶体 2B9C4 * ,并对晶体的结构进行了 表征。 关键词:高压釜法;2B9C4 * ;加速坩埚旋转技术(1:06);红外非线性光学晶体 中图分类号:.,Q* ! ! 文献标识码:1 ! ! 文章编号:$+++MRQAI(*++,)+$M+++QM+# ’()*+, )- !#$% %$./0 1(23+4/ 52 +,0 6770/0(4+08 1(975/0 :)+4+)$ ;07,$90 !#$ %’()*+(,,-. /0)1’(,,2.#$ 30()45(,,67. 8+(,)9:,67#$ ;5()0’ (4N?N; S;@ 2?=?N=@ T :=@EN?’ U?N;=B?’E,4V?CGCL /CBW;=EBN@,-BC?C *A+$++,:VBC?) (+=+5+? D %+*1+49+@ *++# ) 653+(47+:1 C;X F;NVG,?NO’?W; F;NVG,X?E E;G N E@CNV;EBY; Z’@O=@EN?’’BC; 2B9C4 * ( 6V; EBCL’; ZV?E; ?CG OFZ?ON Z’@O=@EN?’’BC; 2B9C4 * X?E E@CNV;EBY;G T=F VBLV Z=BN@ F?N;=B?’ T 2B,9C,4 ?N $$*+H ( 1CG BN X?E OV?=?ON;=BY;G @ IM=?@ GBTT=?ONBC( 6V; N=?GBNBC?’ K=BGLF?C [ 4NOP?=L;= N;OVCB\; X?E BFZ=W;G ?CG ?OO;’;=?N;G O=OB’; =N?NBC N;OVCB\;(1:06)X?E =;?’BY;G( /EBCL NV; 1:06,X; V?W; L=XC NV; EBCL’; O=@EN?’ T 2B9C4 * ?CG BNE O=@EN?’ EN=ON=; X?E ENGB;G BC G;N?B’( =02 *)(83:?NO’?W; F;NVG;2B9C4 * ;?OO;’;=?N;G O=OB’; =N?NBC N;OVCB\;( 1:06); BCT=?=;G CC’BC;?= ZNBO?’ O=@EN?’ ! ! 收稿日期:*++#M+RM+D ! ! 基金项目:国家自然科学基金重大项目()( A+AR+D+,)( A+*A$$);国家重点基础研究发展计划(R,)项目(*++D:K#$R++*) ! ! 作者简介:王善朋($R,RM),男,山东省人,博士研究生。 ! ! 通讯作者:陶绪堂,8MF?B’:N]N^ BOF( EG( ;G( OC $! 引! ! 言 硫铟锂(2B9C4 * )晶体是一种性能优异的中红外非线性光学材料,是典型的 ! M M # * 族三元化合物半导 体,它具有以下优异性能[$M, ]:较宽的透过波段(+( A _ $ $ F);大的非线性光学系数(? ‘ $A( Q ZF a %);高 的热导率,是 1Lb?4 * 晶体的 A 倍;它属于纤锌矿结构,能够避免热膨胀的各向异性而产生应力和层状缺陷; 在已知的中红外晶体中具有最大的带隙 A L ‘ ( A,;%(Q++S);双光子吸收非常弱,Q++CF 波长的激光照射, 晶体的双光子吸收为 +( +D OF a bc,比 1Lb?4 * 晶体的双光子吸收(( A _ A( #OF a bc)小两个数量级;具有较 高的光损伤阈值:大于 $bc a OF*($+#DCF,$+CE),因而可实现高能、短脉冲激光泵浦,从而使得其在高功率 万方数据 ! 第 期 王善朋等:加速坩埚旋转下降技术生长 #$%’ ( 晶体 )! 器件方面具有潜在的应用价值;有可能实现 ! 型非临界位相匹配(*+,-),将极大地提高晶体的倍频转换效 率

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