晶圆制造工艺-ETCH讲述.docVIP

晶圆制造工艺流程 1、表面清洗 2、初次氧化 3、CVD(Chemical?Vapor?deposition)?法沉积一层Si3N4?(Hot?CVD?或LPCVD)?。 （1）常压CVD?(Normal?Pressure?CVD)? （2）低压CVD?(Low?Pressure?CVD)? （3）热CVD?(Hot?CVD)/(thermal?CVD)? （4）电浆增强CVD?(Plasma?Enhanced?CVD)? （5）MOCVD?(Metal?Organic???CVD)??分子磊晶成长(Molecular?Beam?Epitaxy)? （6）外延生长法?(LPE)? 4、涂敷光刻胶? （1）光刻胶的涂敷? （2）预烘(pre?bake)? （3）曝光 （4）显影 （5）后烘(post?bake)? （6）腐蚀(etching)? （7）光刻胶的去除 5、此处用干法氧化法将氮化硅去除 6?、离子布植将硼离子(B+3)?透过SiO2?膜注入衬底，形成P?型阱 7、去除光刻胶，放高温炉中进行退火处理 8、用热磷酸去除氮化硅层，掺杂磷(P+5)?离子，形成N?型阱 9、退火处理，然后用HF?去除SiO2?层 10、干法氧化法生成一层SiO2?层，然后LPCVD?沉积一层氮化硅 11、利用光刻技术和离子刻蚀技术，保留下栅隔离层上面的氮化硅层 12、湿法氧化，生长未有氮化硅保护的