复旦数字逻辑基础课件Chapter+2.pdfVIP

第2章 逻辑门电路 范益波 2014.9 Video Image Processing (VIP) Research Group @ Fudan /vip/ 本章内容 ?数字逻辑0/1在物理上如何体现 ？ ?逻辑转换需要耗费时间么？如何确定？ ?逻辑如何“驱动”逻辑？驱动力有上限么？ ?逻辑运算的底层物理实现 ？ 本章要求 本章要求： ?了解半导体器件的开关特性 ?了解分立器件逻辑门电路的结构与工作原理 ?了解TTL集成逻辑门电路和CMOS集成逻辑门电路的 结构和工作原理 ?掌握TTL/CMOS集成逻辑门电路的静态和动态参数 ?了解电流模式逻辑门电路的结构与工作原理 2.1 逻辑门电路简介 逻辑门分类 ? 分立器件逻辑门 ? 集成逻辑门电路 ? 双极型集成逻辑门电路（两种载流子，如PNP，NPN） ? 晶体管-晶体管逻辑门电路（Transistor-Transistor Logic，TTL） ? 射极耦合逻辑门电路（Emitter Coupled Logic，ECL） ? 单极型集成逻辑门电路（一种载流子，如NMOS，PMOS） ? 互补金属氧化物半导体逻辑门电路（Complementary Metal Oxide Semiconductor，CMOS） ? 电流模式逻辑门电路（Current Mode Logic, CML） 双极、单极的区分：工作时两种或一种载流子参与导电 ? 数字集成电路 ? 小规模集成电路（SSI， Small Scale Integrated Circuit， 1～10） ? 中规模集成电路（MSI， Middle Scale Integrated Circuit，10～ 100） ? 大规模集成电路（LSI， Large Scale Integrated Circuit，100～ 1K） ? 超大规模集成电路（VLSI， Very Large Scale Integrated Circuit， 1K～1M） ? 甚大规模集成电路（ULSI， Ultra Large Scale Integrated Circuit, 1M） 二极管原理 一.P-N结合 (1) (2) 但若将数片P或N型半导体加以适当的组合，则会产生各种不同的物 理特性，而使半导体零件的功能更多彩多姿。今天我们要先看看把一块 P型半导体与N型半导体结合起来的情况。 PN结工作原理 P型 N型 (3) 当一块P型半导体与N型半导体结合起来时（P型掺杂硼是受主、N型掺杂 磷是施主），如下图所示，由于P型半导体中有很多的空穴，而N型半导体中 有许多电子，所以当P-N结合起来时，结合面附近的电子会填入空穴中，P-N 结合起来时，如下图a)所示。 或许你会以为N型半导体中的电子会不断的透过接合面与空穴结合，直到所 有的电子或空穴消失为止。事实上，靠近接合面的N型半导体失去了电子后 就变成正离子，P型半导体失去了一些电洞后就变成负离子，如上图(b)所示。 此时正离子会排斥空穴，负离子会排斥电子，因而阻止了电子、空穴的继续 结合，而产生平衡之状态。 (4) 在P-N接合面(P-N junction)附近没有载体(电子或空穴)，只有离子之区域称 为耗尽区(depletion region) 。 (5) 空穴区的离子所产生的阻止电子、电洞通过接合面的力量，称为内建电势 (potential barrier) 。内建电势视半导体的掺杂程度而定，一般而言，Ge 的P-N 接合面约为0.2~0.3V，而Si 的P-N接合面约为0.6~0.7V。 二.正向偏压 (1) 若把电池的正端接P型半导体，而把负端接N型半导体，如下图 (2) 若外加电源E 足够大而克服了内建电势，则由于电池的正端具有吸 引电子而排斥电洞的特性，电池的负端有吸引电洞而排斥电子之特性， 因此N型半导体中的电子会越过P-N接合面而进入P 型半导体与电洞结 合，同时，空穴也会通过接合面而进入N型半导体内与电子结合，造成 很大的电流通过P-N接合面。 (3) 因为电池的负端不断的补充电子给N型半导体，电池的正端则不断的 补充空穴给P型半导体，(实际上是电池的正端不断的吸出P型半导体中 之电子，使P 型半导体中不断产生空穴) ，所以通过P-N接合面的电流将 持续不断。 (4) P-N接合在加上正向偏压时，所通过之电流称为正向电流(IF) 。 三.反向偏压 (1) 现在如果我们把电池的正端接N而负端接P，则电子、空穴将受到E 之吸引而远离接合面，耗尽区增大，而不会有电子或空穴越过接合面产 生接合，如下图所示，此种外加电压之方式称为反向偏压。 (2) 当P-N接合面被加上反向偏压时，理想的情形应该没有反向电流(Ir=0) 才对，然而，由于温度的引响，热能在半导体中产生了少数的电子─空穴 对，