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半导体材料 按掺入的杂质元素不同,可形成N型半导体(电子型半导体)和P型半导体(空穴型半导体) 二极管图片1 正向特性:当加在二极管上的正向电压比较小时,正向电流很小，几乎等于零.只有在当二极管两端的正向电压超过某一数值时,正向电流才明显增大.当正向电压大于Uon,二极管导通；正向电压小于Uon时，二极管截止。 * * 高 等 学 校 教 材 (第三版) 模拟电子技术 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 研究对象 模拟信号 指在时间或数值上都是连续变化的信号。 研究重点 信号的放大 放大电路 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 第一章 半 导 体 器 件 1.1 半导体基础知识 1.2 PN结 1.3 半导体三极管 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 基础知识 根据物体导电能力(电阻率)的不同，来划分导体、绝缘体和半导体。 典型的半导体有硅Si和锗Ge等。 特性 在光照或加热、通电或掺入杂质元素时，半导体的导电性能会发生显著变化。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 半导体的共价键结构（Si、Ge） 平面结构 空间排列 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 在光照和受热或通电激发、掺入杂质元素时，半导体的导电性将发生明显的改变 本征半导体 杂质半导体 半导体按照是否含有杂质元素可分为 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 1.1.1 本征半导体 本征半导体是一种完全纯净不掺入任何杂质且结构完整的半导体晶体. 图 1 – 2 本征半导体共价键晶体结构示意图 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 共价键中的价电子由于热运动而获得一定的能量, 其中少数能够摆脱共价键的束缚而成为自由电子, 自由电子带负电，同时必然在共价键中留下空位, 称为空穴。空穴带正电。 这一现象称为本征激发. 图 1 – 3 本征半导体中的自由电子和空穴 我们用n和p分别表示自由电子和空穴的浓度, 即ni=pi, 下标i表示为本征半导体。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 若外加电场时： 一方面自由电子将在电场力的作用下产生定向移动,形成电子电流;另一方面由于具有电子填补空穴的复合运动,我们可以看作空穴也产生运动,形成空穴电流. 半导体中存在着两种载流子：带负电的自由电子和带正电的空穴。 温度越高，载流子的浓度越高, 则本征半导体的导电能力越强，温度是影响半导体性能的一个重要的外部因素，这是半导体的一大特点。 能够运载电荷的粒子称为载流子。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.