- 1、本文档共94页,可阅读全部内容。
- 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
- 5、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
- 6、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 7、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 8、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
电子线路[清华大学发行社董尚斌主编]第1章节-1二极管基本知识点
1.1.2 杂质半导体 2. P型半导体 正偏时,各电量的变化? PN结正偏时:阻挡层变薄 ? Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 正偏→正向电流 多子扩散运动形成的扩散电流 内电场被削弱,多子的扩散加强,能够形成较大的扩散电流 PN结正偏时: Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 外加正偏置电压时载流子浓度分布变化 在正向偏置电压的作用下,P区中的多子空穴将源源不断地通过阻挡层注入到N区,成为N区中的非平衡少子,并通过边扩散、边复合,在N区形成非平衡少子的浓度分布曲线 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. PN结正偏时: 在N、P区均形成非平衡少数载流子浓度分布 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. PN结正偏时,通过PN结的电流是由两个区的多子通过阻挡层的扩散而形成自P区流向N区的正向电流IF。 当外加电压VF升高时,PN结的内电场进一步减弱,扩散电流随之增加,且呈指数增长。 正偏时,PN结呈现为一个小电阻 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 杂质元素能否成为载流子? Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. P型半导体中 多子→ 空穴 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. P型半导体动态平衡载流子浓度 温度一定时,两种载流子的产生和复合 将达到平衡。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. P型半导体中,空穴为多子(多数载流子),自由电子为少子(少数载流子)。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 少子浓度随温度的变化是影响半导体器件性能的主要原因。 温度上升时,多子浓度几乎不变,而少子浓度则迅速增加。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 1.1.3 半导体中的漂移电流和扩散电流 漂移电流形成的条件? 扩散电流形成的条件? 自由电子形成的电流? 空穴形成的电流? Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose
您可能关注的文档
最近下载
- 沪教版 五年级下册美术 第8课 立体面具 课件(共16张PPT).ppt VIP
- 基于巴马小型猪的智能针灸机器人仿人针刺初步实验.docx VIP
- 砌体结构工程施工质量验收规范GB50203-2011.docx VIP
- 《大学物理》全套教学课件(共11章完整版).pptx
- 2019款东风标致508L-R83_汽车使用手册用户操作图示驾驶指南车主车辆说明书电子版.pdf
- 《产后并发症》课件.ppt VIP
- 2023款上汽通用别克昂科威Plus五座精英四驱豪华艾维亚版型_汽车使用手册用户驾驶指南车主车辆说明书电子版.pdf
- 心脏瓣膜病课件.ppt VIP
- S51816S518雨水口 标准图集.pdf
- 标准图集-07FG04-人防工程图集-钢筋混凝土门框墙.pdf
文档评论(0)