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电子线路[清华大学发行社董尚斌主编]第1章节-1二极管基本知识点

1.1.2 杂质半导体 2. P型半导体 正偏时,各电量的变化? PN结正偏时:阻挡层变薄 ? Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 正偏→正向电流 多子扩散运动形成的扩散电流 内电场被削弱,多子的扩散加强,能够形成较大的扩散电流 PN结正偏时: Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 外加正偏置电压时载流子浓度分布变化 在正向偏置电压的作用下,P区中的多子空穴将源源不断地通过阻挡层注入到N区,成为N区中的非平衡少子,并通过边扩散、边复合,在N区形成非平衡少子的浓度分布曲线 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. PN结正偏时: 在N、P区均形成非平衡少数载流子浓度分布 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. PN结正偏时,通过PN结的电流是由两个区的多子通过阻挡层的扩散而形成自P区流向N区的正向电流IF。 当外加电压VF升高时,PN结的内电场进一步减弱,扩散电流随之增加,且呈指数增长。 正偏时,PN结呈现为一个小电阻 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 杂质元素能否成为载流子? Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. P型半导体中 多子→ 空穴 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. P型半导体动态平衡载流子浓度 温度一定时,两种载流子的产生和复合 将达到平衡。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. P型半导体中,空穴为多子(多数载流子),自由电子为少子(少数载流子)。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 少子浓度随温度的变化是影响半导体器件性能的主要原因。 温度上升时,多子浓度几乎不变,而少子浓度则迅速增加。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 1.1.3 半导体中的漂移电流和扩散电流 漂移电流形成的条件? 扩散电流形成的条件? 自由电子形成的电流? 空穴形成的电流? Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose

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