电工电子c第9章节二极管三极管.pptVIP

第9章 二极管和三极管 9. 2 二极管 9.1 半导体的导电特性 9.4 晶体管 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 本征半导体：完全纯净的、具有晶体结构的半导体。 晶体中原子的排列方式 共价健 价电子 价电子在获得一定能量后,即可挣脱原子核的束缚，成为自由电子,同时共价键中留下一个空位,称为空穴(带正电)。 本征激发： Si Si Si Si 空穴 自由电子 9.1.1 本征半导体 9.1 半导体的导电特性 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 温度越高，本征激发产生的空穴-自由电子便越多。 一定温度下，空穴-电子的产生和复合达到动态平衡，半导体中载流子便维持一定的数目。 空穴与自由电子成对产生和复合，统称为载流子。 本征半导体中的两种运动 1、自由电子的运动。 2、空穴的运动。空穴被邻近共价键电子填补，在原共价键中出现一个新空穴，这种填补等效于空穴运动。 外电场作用下，在半导体中将出现两部分电流： (1)自由电子作定向运动 ?电子电流 (2)价电子定向递补空穴 ?空穴电流 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 通常通过掺杂使电子数目大量增加。 自由电子导电成为这种半导体的主要导电方式，称为电子半导体或N型半导体。 掺入五价元素 Si Si Si Si p+ 多余电子 磷原子 在常温下即可变为自由电子 失去一个电子变为正离子 在本征半导体中掺入某种微量元素，形成杂质半导体。 在N 型半导体中自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子 9.1.2 N型半导体和 P 型半导体 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 掺杂后空穴数目大量增加。 空穴导电成为这种半导体的主要导电方式，称为空穴半导体或 P型半导体。 掺入三价元素 Si Si Si Si 在P型半导体中空穴是多子，自由电子是少子。 B– 硼原子 接受一个电子变为负离子 空穴 无论N型或P型半导体都是中性的，对外不显电性。 9.1.2 N型半导体和 P 型半导体 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 1. 在杂质半导体中多子的数量与 （a. 掺杂浓度、b.温度）有关。 2. 在杂质半导体中少子的数量与 （a. 掺杂浓度、b.温度）有关。 3. 当温度升高时，少子的数量 （a. 减少、b. 不变、c. 增多）。 a b c 4. 在外加电压的作用下，P 型半导体中的电流 主要是 ，N 型半导体中的电流主要是 。 （a. 电子电流、b.空穴电流） b a Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 1. PN结的形成 多子的扩散运动 内电场 少子的漂移运动 浓度差 P 型半导体 N 型半导体 内电场越强，漂移运动越强。扩散越受到抑制。 空间电荷区也称 PN 结 扩散和漂移这一对相反的运动最终达到动态平衡，空间电荷区的厚度固定不变。 － － － － － － － － － － － － － － － － + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + － － － － － － － － 形成空间电荷区 9.1.3 PN结及其单