第2章节-二极管和基本电路.pptVIP

实际问题的电路设计 某便携式数据采集器工作时采用车载电源13.8V供电，当脱离车辆工作或车载电源没电时，为防止数据丢失，数据采集器自动启动内置备份9V电池供电。试设计一个不间断电源切换电路满足使用要求。便携式数据采集器工作电压为8-15V。工作电流0.5A。 - vD + （b） D R VI iD + - R （a） iD VI D vO + - vD Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. - vD + （b） D R VI iD （c） - + R + - rd + - R （a） iD VI D vO + - vD Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 例：如图所示的低电压稳压电路，直流电压VI的正常值为10V，R=10k?，若VI变化±1V，问相应的硅二极管电压（输出电压）的变动如何？ （b） D R VI （c） - + R + - rd R （a） iD VI D vO + - vD + - iD + - vD Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. （b） D R VI （c） - + R + - rd R （a） iD VI D vO + - vD + - iD + - vD 解：（1）当VI为正常值10V时，利用二极管恒压降模型有: VD?0.7V Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. （b） D R VI （c） - + R + - rd R （a） iD VI D vO + - vD + - iD + - vD （2）在此Q点上,按下面式子计算二极管的微变电阻rd为 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. （b） D R VI （c） - + R + - rd R （a） iD VI D vO + - vD + - iD + - vD （3）当VI有?1V的波动时，可视为一峰-峰值2V的交流信号，则二极管两端信号电压波动为： Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 例：二极管的应用： R RL vi vR vo t t t vi vR vo Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. vD iD VBR PN结的反相击穿 当PN结两端反相电压增大到一定值（ VBR）时，反相电流突然增大，这个现象称为反相击穿。 0 产生反相击穿的原因：在强电场的作用下大大增加了自由电子和空穴的数目，引起反相电流剧增。 两种反相击穿现象： 雪崩击穿、齐纳击穿。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. §2.3 半导体二极管 1. 基本结构 PN结加上管壳和引线，就成为半导体二极管。 引线 外壳线 触丝线 基片 点接