第03章场效应管及其放大电路old重点.pptVIP

3.5.2 CMOS模拟开关 CMOS模拟开关由CMOS传输门和CMOS反相器构成。CMOS模拟开关扩大了输入信号的幅度范围 (0~VDD)，同时又保持较小的导通电阻。 CMOS模拟开关应用实例 数控增益放大器 本章完 谢识予 曹天元 黑柳彻子 博多·舍费尔 平凡的世界 何以笙箫默 * * 在相同静态工作点情况下，MOS管gm的数值通常会比双极型晶体管小一、二个数量级。这是MOS管的一个缺点。 * * 初始导电沟道已经存在 适用于对所有类型的场效应管（增强型MOS、耗尽型MOS、JFET）提供直流偏置。 适用于耗尽型MOS管和JFET * 忽略衬底调制效应；Q点微变电阻小于直流电阻。 忽略衬底调制效应 三 基本共漏放大电路 分压式共漏放大电路的交流等效电路 输入电阻: 输出电阻: 337? 1005? 3.4.3 场效应管基本放大电路 共源放大电路 共栅放大电路 中频增益： 输入电阻： 输出电阻： 中频增益： 输入电阻： 输出电阻： 共漏放大电路 中频增益： 输入电阻： 输出电阻： 3.4.4 场效应管有源电阻及电流源电路 有源电阻 基本电流源 威尔逊电流源 /buptdzdl 场效应管的跨导较低，为提高单级放大电路的增益，常使用有源电阻或电流源作为放大电路中负载电阻。 一 MOS管有源电阻 增强型MOS管有源电阻 MOS二极管 直流电阻： 交流电阻： 忽略衬底调制效应 工作在饱和区 一 MOS管有源电阻 耗尽型MOS管有源电阻 IDQ越小 rds越大，可看作内阻为rds电流为 IDSS 的恒流源电路。 直流电阻： 交流电阻： 忽略衬底调制效应 二 基本电流源 源极电流 ID 流过电阻 R 产生压降，做为栅源间的偏压，使管子工作在饱和区。 MOS单管电流源 输出电阻: 自生偏压和漏极电流的关系: 解此方程组即可求出电流 ID的值。 二 基本电流源 MOS基本电流源 1. 镜像支路和参考支路的关系 2. 输出电阻 镜像电流源 比例电流源 令：VGS(th)1=VGS(th)2，?1 = ?2 = ? 三 威尔逊电流源 威尔逊电流源 威尔逊电流源等效电路 为提高输出电阻和输出电流的稳定度，可采用威尔逊电流源。 三 威尔逊电流源 威尔逊电流源等效电路 为求输出电阻，列如下方程组： 三 威尔逊电流源 由： 得： 3.4.5 场效应管有源负载放大电路 NMOS共源E/E型放大电路 NMOS共源E/D型放大电路 CMOS共源E/E型放大电路 一 NMOS共源 E/E 型放大电路 NMOS E/E放大电路及其交流等效电路 ＋ vi － g2 d2 s2 b2 放大管 负载管 一 NMOS共源 E/E 型放大电路 NMOS E/E放大电路的交流等效电路 输出电阻: 电压增益: 二 NMOS共源 E/D 型放大电路 NMOS E/D放大电路及其交流等效电路 g2 d2 s2 b2 二 NMOS共源 E/D 型放大电路 NMOS E/D放大电路的交流等效电路 输出电阻: 电压增益: 三 CMOS共源E/E型放大电路 CMOS电路以 NMOS管做放大管，PMOS管作负载管，构成互补放大电路，可以很好地消除衬底调制现象。 三 CMOS共源E/E型放大电路 共源CMOS放大电路 输出电阻: 电压增益: 三 CMOS共源E/E型放大电路 CMOS反相器 三 CMOS共源E/E型放大电路 输出电阻: 电压增益: CMOS反相器 三种放大电路传输特性的比较 常用单级MOS放大电路: E/E NMOS E/D NMOS E/E CMOS 三种放大电路传输特性的比较 注意观察： 1 动态范围 2 增益 3.4.6 场效应管差分放大电路 MOS管差分放大电路 放大差模抑制共模 输入电阻高 线性范围宽 微变增益低，偏差失调大 MOS管差放的传输特性曲线 MOS管基本差分电路 3.4.6 场效应管差分放大电路 差模传输特性 (1) 静态时，vID = 0， 差动输出 iOD = 0, 电路工作于曲线原点。 (2) 加入差模信号 vID 后，两管的差动输出电流一增一减，增减量相同。 (3) 当vID 很大时进入限幅区。CMOS差 放非限幅区的范围通常比双极型晶 体管差放大很多。 3.4.6 场效应管差分放大电路 差模电压增益: 非限幅区范围: MOS管差分放大电路的交流通路 3.4.6 场效应管差分放大电路 MOS管差分放大电路 共模电压增益: 共模抑制比: 3.4.6 场效应管差分放大电路 MOS管差分放大电路 共模输入电压范围: vIC下降时vS跟随下降，vDS3减小： 由 得 vIC上升时vS跟随上升，iD基本不变 基本不变 而 3.4.6