模拟电子技术_场效应管讲述.ppt

5.3.1 JFET的结构和工作原理 1. 结构 # 符号中的箭头方向表示什么？ 动画演示 2. 工作原理 ① vGS对沟道的控制作用 当vGS＜0时 （以N沟道JFET为例） 当沟道夹断时，对应的栅源电压vGS称为夹断电压VP （ 或VGS(off) ）。 对于N沟道的JFET，VP 0。 PN结反偏 耗尽层加厚 沟道变窄。 ? ? vGS继续减小，沟道继续变窄。 动画演示 2. 工作原理 （以N沟道JFET为例） ② vDS对沟道的控制作用 当vGS=0时， vDS? ? ID ? G、D间PN结的反向电压增加，使靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道变窄，从上至下呈楔形分布。 当vDS增加到使vGD=VP 时，在紧靠漏极处出现预夹断。 此时vDS ? 夹断区延长 ? 沟道电阻? ? ID基本不变 ? 2. 工作原理 （以N沟道JFET为例） ③ vGS和vDS同时作用时 当VP vGS0 时，导电沟道更容易夹断， 对于同样的vDS ， ID的值比vGS=0时的值要小。 在预夹断处 vGD=vGS-vDS =VP 3. 工作特性：输入与输出特性 动画演示输出特性 动画演示输入特性 5.3.2 FET放大电路的小信号模型分析法 1. FET小信号模型 （1）低频模型 * 1. 从物理意义上解释低通电路 2. 稳态分析方法 3. 增益与传递函数 4. 复数的模与相角 P188 4.3.9电路如图所示，β＝50. IB IC VCE 2)画小信号等效电路; 3)估算BJT的输入电阻rbe; 4)如果输出端接入4kΩ的电阻负载，计算Av＝vo/vi及Avs=vo/vs。 RL P188 4.3.10电路如图所示，VCC＝12V,BJT的 β＝20。若要求|Av|≥100，ICQ＝1mA，试确 定Rb，Rc的值，并计算VCEQ。设RL=∞。 标称值 IB IC VCE P188 4.3.12电路如图所示，电容C1,C2,C3对交流信号可视为短路。 (1)写出静态电流ICQ及电压VCEQ的表达式。 IB IC VCE (2)写出电压增益Av、输入电阻Ri和输出电阻Ro的表达式； ib ic i vi vo 1 2 (3)若将电容C3开路，对电路将会产生什么影响？ ib ic i vi vo 1 2+3 P190 4.4.4 电路如图所示，信号源内阻RS＝600Ω, BJT的β＝50。 (1)画出该电路的小信号等效电路。 (2)求该电路的输入电阻Ri和输出电阻Ro； (3)当vs＝15mV时，求输出电压vo； P191 4.4.5 电路如图所示，vs为正弦波小信号， 其平均值为0，Rs＝500Ω，BJT的β＝100。 (1)为使发射极电流IEQ约为1mA，求Re的值。 (2)如需建立集电极电位VCQ为+5V，求Rc的值； (3)RL＝5kΩ时，求Avs； P191 4.4.6 电路如图所示，设β＝100，VBEQ=0.7V。 (1)估算Q点； (2)求电压增益Av、输入电阻Ri和输出电阻Ro； 5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 5.3 结型场效应管（JFET） *5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 5.5 各种放大器件电路性能比较 5.2 MOSFET放大电路 P沟道 耗尽型 P沟道 P沟道 N沟道 增强型 N沟道 N沟道 （耗尽型） FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 (IGFET) 耗尽型：场效应管没有加偏置电压时，就有导电沟道存在 增强型：场效应管没有加偏置电压时，没有导电沟道 场效应管的分类： 5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 5.1.5 MOSFET的主要参数 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 5.1.3 P沟道MOSFET 5.1.4 沟道长度调制效应 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 1. 结构（N沟道） L ：沟道长度 W ：沟道宽度 tox ：绝缘层厚度 通常 W L 动画演示 D(Drain):漏极，相当c G(Gate):栅极，相当b S(Source):源极，相当e B(Substrate):衬底 一、 结构 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 剖面图 1. 结构（N沟道） 符号 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 2. 工作原理 （1）vGS对沟道的控制作用 当vGS≤0时 无导电沟道， d、s间加电压时，也无电流产生。 当0v